[发明专利]一种低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法

权利要求书

1.一种低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，采用龟裂模板法在衬底上沉积金属网络电极，通过电镀在沉积的金属网络电极上形成金属镀层，并进行等离子体处理，再使用c-PI前驱液浸润；加热保温使c-PI成膜后，于热水浴中将c-PI薄膜与衬底剥离以完成无损转移，得到低表面粗糙度的柔性透明导电电极；

所述的c-PI前驱液为含氟聚酰亚胺前驱液。

2.根据权利要求1所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，具体步骤为：

S1：在衬底上涂布龟裂材料，制成牺牲层，所述牺牲层逐渐龟裂形成龟裂模板；

S2：沉积金属，然后洗去龟裂模板，得到金属网络电极；

S3：在S2得到的金属网络电极的基础上电镀形成金属镀层，使得所述金属网络电极在衬底上的附着力降低；

S4：对电镀后的所述金属网络电极的表面进行等离子体处理，使其呈现出亲水性；

S5：使用c-PI前驱液将所述金属网络电极的表面浸润；

S6：将使用c-PI前驱液浸润后的所述金属网络电极连同衬底一同放入真空管式炉中，通入氩气并不断升温至c-PI前驱液在表面形成c-PI薄膜；

S7：在热水浴中将所述的c-PI薄膜与PET衬底剥离以完成无损转移，得到低表面粗糙度的柔性透明导电电极。

3.根据权利要求2所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，所述S1中使用的龟裂材料包括TiO₂溶胶、鸡蛋清溶胶、指甲油和纤维素中的至少一种。

4.根据权利要求2所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，所述的衬底为钠钙玻璃或PET衬底。

5.根据权利要求2所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，所述S1涂布龟裂材料之前，还包括对所述的衬底进行清洗：将衬底依次在异丙醇、无水乙醇、去离子水中分别超声清洗15min，然后用气枪将衬底吹干；置于等离子体清洗机中进行亲水处理，亲水处理时，等离子清洗机清洗50～100s，等离子清洗机的功率为180～220W。

6.根据权利要求3所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，所述S1中采用加热龟裂或自然龟裂的方式使所述的牺牲层龟裂形成龟裂模板，所述加热龟裂中的加热温度为40～100℃，保温时间为5～10min。

7.根据权利要求2所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，所述S2中沉积金属的方法可采用磁控溅射法；所沉积的金属选自铜、银、金或铬；所述S2中采用去离子水或无水乙醇进一步洗去龟裂模板。

8.根据权利要求2所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，所述S3中电镀的金属镀层材料为铜或银。

9.根据权利要求2所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，所述S4中的等离子体处理为使用等离子清洗机清洗50～100s，等离子清洗机的功率为180～220W。

10.根据权利要求2所述的低表面粗糙度的柔性透明导电电极制备方法，其特征在于，所述S6中真空管式炉以5℃/min的速度不断升温，并分别在120℃和300℃下保温1h；所述S7中在90℃的热水浴中将c-PI薄膜剥离以完成无损转移。