[发明专利]一种氮化镓增强型器件的制造方法

权利要求书

1.一种氮化镓增强型器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）在基底表面依次生长AlN成核层、AlN缓冲层和AlGaN屏蔽层；

2）通过外延技术在所述AlGaN屏蔽层表面依次生长AlN刻蚀停止层和p-GaN层，所述AlN成核层、AlN缓冲层、AlGaN屏蔽层、AlN刻蚀停止层和p-GaN层构成外延层；

3）在所述外延层表面定义出栅极区域和非栅极区域，并将非栅极区域作为刻蚀区；

4）采用复合式刻蚀，除去非栅极区域的p-GaN层；

所述复合式刻蚀包括干刻蚀和湿刻蚀，所述干刻蚀通过N₂O或O₂气体将所述p-GaN层表面氧化为Ga₂O₃，所述湿刻蚀通过酸性溶液将所述p-GaN层表面的Ga₂O₃腐蚀；

5）在栅极区域的p-GaN层表面淀积金属层并制备栅极金属；

6）在AlGaN/GaN屏蔽层表面淀积金属层并制备源极金属和漏极金属。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3）通过黄光微影制程定义出栅极区域和非栅极区域。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4）所述干刻蚀功率为20-40W，腔体压力为50-70 mTorr，气体流量为20-40sccm，刻蚀时间为120-170s。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4）所述酸性溶液为盐酸溶液、氢氟酸溶液或BOE刻蚀溶液。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4）的复合式刻蚀结束后，除去栅极区域p-GaN层表面的光刻胶。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5）的所述栅极金属为Ni/Au层。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6）的所述源极金属和漏极金属为Ti/Al/Ni/Au层，并与所述AlGaN屏蔽层之间形成欧姆接触。