[发明专利]一种用于MOCVD设备的硅基托盘及制备方法

权利要求书

1.一种用于MOCVD设备的硅基托盘,其特征在于,其包括构成托盘基材的Si基体和Si基体表面的复合涂层,所述复合涂层包括热解炭过渡层,Si基体与热解炭过渡层之间界面处的SiC界面层、以及最外层的SiC涂层,所述SiC界面层由热解炭过渡层与Si基体在界面处发生反应形成；所述热解炭过渡层厚度为1-10um；所述SiC涂层厚度为60-100um。

2.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的硅基托盘,其特征在于,所述Si基体为高纯Si材料,纯度大于99.99 %。

3.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的硅基托盘,其特征在于,所述SiC界面层厚度为10-100nm。

4.根据权利要求1所述的用于MOCVD设备的硅基托盘,其特征在于,所述复合涂层粗糙度低于2um。

5.一种权利要求1～3任一项所述用于MOCVD设备的硅基托盘的制备方法,其特征在于，包括下述的步骤:

(1)通过化学气相沉积法在Si基体表面沉积热解炭过渡层;

(2)将温度升高至1200-1400℃并保温一段时间,形成SiC界面层;

(3)通过化学气相沉积法在热解炭过渡层上沉积SiC涂层,得到所述用于MOCVD设备的硅基托盘。

6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤⑴沉积条件为:以甲烷为碳源物质,沉积温度为900～1200℃,沉积时间为1～20h。

7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤（ 2） 保温时间为1-2h。

8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,所述步骤（ 3)沉积条件为:以甲基三氯硅烷为SiC源物质,沉积温度为1000-1300℃,沉积时间为5～50h。