[发明专利]一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器及其制备方法在审
申请号: | 202011426200.5 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112697289A | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 范惠东;杨根杰;潘博闻;于军胜 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G01K7/01 | 分类号: | G01K7/01;G01K13/20;B82Y15/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 谢建 |
地址: | 611731 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 体温 监测 稳定性 温度传感器 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器,其特征在于:其结构包括从下到上依次设置的衬底、栅电极、栅极绝缘层、有机半导体层,有机半导体层上设置有源电极和漏电极,所述有机半导体层是可溶性的,在有机半导体层加入了质量分数为1%-3%大豆异黄酮以及0.2%-0.5%的二丁基羟基甲苯。
2.根据权利要求1所述的一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器,其特征在于:所述衬底由硅片、玻璃、聚合物薄膜或金属箔制成。
3.根据权利要求1所述的一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器,其特征在于:所述栅极绝缘层为二氧化硅、三氧化二铝、氮化硅、二氧化钛的一种或多种无机绝缘材料或聚乙烯醇、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚乙烯的一种或多种有机聚合物绝缘材料,栅极绝缘层厚度为20~520nm。
4.根据权利要求1所述的一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器,其特征在于:所述有机半导体层为聚3-己基噻吩、Tips-并五苯的一种或多种可溶性有机半导体材料,厚度为25~400nm。
5.根据权利要求1所述的一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器,其特征在于:所述半导体层中加入了质量分数为1%-3%大豆异黄酮以及0.2%-0.5%的二丁基羟基甲苯。
6.根据权利要求1所述的一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器,其特征在于:所述栅电极、源电极和漏电极为金、银、铜的一种或多种,或氧化铟锡、氧化锌透明导电薄膜的一种或多种,厚度为10~100nm。
7.一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
S1:先利用洗涤剂、丙酮溶液、去离子水和异丙醇溶液对衬底进行彻底的清洗,清洗后干燥;
S2:在衬底的表面制备栅电极,形成栅电极的图形;
S3:在镀有栅电极的基板的上制备栅极绝缘层;
S4:将大豆异黄酮以及二丁基羟基甲苯与有机半导体溶液进行混溶,在已形成栅电极,
以及己覆盖栅极绝缘层的基板上制备明胶-有机半导体层,70℃热退火20分钟;
S5:在有机半导体层上制备源电极和漏电级;
S6:将步骤S5制得后的有机场效应晶体管进行封装。
8.根据权利要求7所述的一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器制备方法,其特征在于:所述步骤S2、S5中,栅电极、源电极、漏电极是通过真空热蒸镀、磁控溅射、等离子体增强的化学气相沉积、丝网印刷、打印或旋涂中的一种方法制备。
9.根据权利要求7所述的一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器制备方法,其特征在于:所述步骤S3中,栅极绝缘层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂或者真空蒸镀中的一种方法制备。
10.根据权利要求7所述的一种用于体温监测的高稳定性的温度传感器制备方法,其特征在于:所述步骤S4中,所述明胶-有机半导体层是通过等离子体增强的化学气相沉积、热氧化、旋涂、真空蒸镀、辊涂、滴膜、压印、印刷或气喷中的一种方法制备。
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