[发明专利]一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂及其应用在审

专利信息
申请号: 202011426264.5 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112646140A 公开(公告)日: 2021-04-13
发明(设计)人: 魏伟;许斌;李结;蔡青;李宏;周文 申请(专利权)人: 上海普利特化工新材料有限公司;上海普利特复合材料股份有限公司;浙江普利特新材料有限公司;重庆普利特新材料有限公司
主分类号: C08G63/60 分类号: C08G63/60;C08G63/78;D01F6/84;C09K19/38
代理公司: 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 代理人: 胡永宏
地址: 201502 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 适用于 纤维 制备 具备 低介电 损耗 正切 芳香族 液晶 聚酯树脂 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:该树脂由对羟基苯甲酸的构成单元[I]、源自于6-羟基-2-萘甲酸的构成单元[II]、源自于芳香族二醇化合物的构成单元[IV]以及源自于芳香族二羧酸的构成单元[III]和[V]构成:

其中a、b、c、d、e分别代表液晶聚酯树脂中重复单元[I]~[V]的摩尔比(摩尔%),并满足下式:

(a)35≤a≤50,20≤b≤30,10≤c≤20,10≤d≤20;

(b)作为小比例第五重复单元,0≤e≤3,而且c+e=d;

(c)a+b+c+d+e=100;

2.根据权利要求1所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:P1、P2、P3分别是在剪切速率1000s-1的条件下,结晶熔融温度(Tm)、Tm+10℃的温度、Tm+20℃的温度下的熔体粘度;P3的熔融粘度低于70Pa·S;其熔点范围为260~320℃。

3.根据权利要求1所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:在Tm+10℃温度下具有更高的熔融粘度P2,在该温度下纺丝从而得到纤维。

4.根据权利要求1所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:所述的全芳族液晶聚酯树脂包含重复单元总量的35~50摩尔%式[I]表示的重复单元,并包含构成本发明的全芳族液晶聚酯树脂酯的重复单元总量的20~30摩尔%式[II]表示的重复单元。

5.根据权利要求1所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:含有式[I]表示的重复单元的单体为基酯对羟基苯甲酸及其酯衍生物,如酰基衍生物、酯衍生物及酰基卤;

含有式[II]表示的重复单元的单体为6~羟基~2~萘甲酸及其成酯衍生物;

含有式[IV]表示的重复单元的单体为对苯二酚及其酯衍生物;;

含有式[V]表示的重复单元的单体为间苯二甲酸及其酯衍生物;。

6.根据权利要求5所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:含有式[I]表示的重复单元的单体选自酰基衍生物、酯衍生物及酰基卤;

含有式[II]表示的重复单元的单体选自酰基衍生物、酯衍生物及酰基卤。

含有式[IV]表示的重复单元的单体选自酰基衍生物;

含有式[V]表示的重复单元的单体选自酯衍生物、酰基卤。

7.根据权利要求1所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:所述的全芳族液晶聚酯树脂必须包含式[III]表示的对位芳族二羰基重复单元以及和[IV]芳族二氧基重复单元;而小比例第五单元[V]表示的间位芳族二羰基重复单元可以根据需要选择添加或者不添加。

8.根据权利要求1所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:所述的全芳族液晶聚酯树脂包含重复单元总量的10~20摩尔%的式[III]表示的重复单元,并包含10~20摩尔%式[IV]表示的重复单元;作为小比例第五重复单元[V],e应该大于等于0而小于等于3.

9.根据权利要求7所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:e应该大于0.5%且小于2%。

10.根据权利要求1所述的一种适用于纤维制备且具备低介电损耗正切值的全芳香族液晶聚酯树脂,其特征在于:该全芳族该树脂及其制备的纤维具有低的介电损耗正切,在10GHz下小于0.002,应用于5G领域。

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