[发明专利]一种V4+

权利要求书

1.一种V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线的制备方法，其特征在于，包括：将V₂O₅粉末、乙二胺在去离子水体系中进行水热反应；然后将水热反应产物进行退火处理。

2.如权利要求1所述的一种V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线的制备方法，其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤：

将V₂O₅粉末和去离子水混合均匀，形成悬浊液；

在步骤（1）的V₂O₅悬浊液中加入乙二胺，室温搅拌6~12h；

将步骤（2）的混合溶液于150~200℃水热反应30~80h，反应结束后过滤出产物并清洗；

（4）将水热反应产物于300~600℃退火15~120min，即得V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线。

3.如权利要求1所述的一种V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线的制备方法，其特征在于，所述乙二胺的用量为0.05~0.5mL/gV₂O₅粉末。

4.如权利要求2或3所述的一种V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线的制备方法，其特征在于，所述乙二胺的用量为0.1~0.2mL/gV₂O₅粉末。

5.如权利要求4所述的一种V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线的制备方法，其特征在于，所述水热反应温度为180~185℃，时间为36~72h。

6.如权利要求1所述的一种V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线的制备方法，其特征在于，所述退火温度为400~405℃，时间为50~60min。

7.一种V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线，其特征在于，是采用权利要求1~6任意一项所述的制备方法获得。

8.一种锂离子电池正极片，其特征在于，包括权利要求7所述的V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线。

9.根据权利要求8所述的一种锂离子电池正极片，其特征在于，所述正极片的制备方法为：将所述V⁴⁺自掺杂V₂O₅纳米线、导电炭黑、PVDF在溶剂中混合均匀，得到正极材料浆料；将所述正极材料浆料涂覆于铝箔上，干燥后即得。

10.一种锂离子电池，其特征在于，包括权利要求8或9所述的正极片。