[发明专利]一种氮化镓反应釜的分部清洗装置及分部清洗方法

说明书

本发明公开了一种氮化镓反应釜的分部清洗装置及分部清洗方法，属于一种清洗装置和清洗方法，分部清洗装置用于清洗至少具有釜盖和釜体的反应釜，包括清洗模组和管路系统，所述清洗模组至少包括若干用于清洗釜体的釜体清洗部、以及若干用于清洗釜盖的釜盖清洗部，所述管路系统将反应溶液、水和高温气体依次地分别通入釜体清洗部和釜盖清洗部，以釜体清洗部中的釜体和清洗釜盖清洗部中的釜盖；解决了现有技术的清洗装置无法满足大尺寸的反应釜的清洗需求的问题。

技术领域

本发明涉及一种清洗装置和清洗方法，尤其涉及一种氮化镓反应釜的分部清洗装置及分部清洗方法。

背景技术

氮化镓晶体是第三代半导体材料，其具有优异的光电性能、热稳定性和化学稳定性。生产氮化镓晶体的方法主要有氢化物气相外延法(HVPE)、助熔剂法(Na Flux)和氨热法(Ammonothermal Method)。其中，在采用氨热法生产氮化镓晶体时，生产结束时，其使用的反应釜的内壁会残留矿化物、氮化镓多晶及反应中间物等残留物，若不将残留物清洗干净，将影响反应釜的使用寿命及氮化镓晶体的生产质量。

现有授权公告号为CN209205968U的一件中国发明专利提供了一种用于生产氮化镓晶体的反应釜的清洗装置，其包括清洗工位、管路系统和控制系统，控制系统控制管路系统依次对清洗工位中的反应釜进行反应溶液清洗、去离子水清洗、高温氮烘干；但是这种清洗装置无法满足大尺寸的反应釜的清洗需求，因此有待改善。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提供一种氮化镓反应釜的分部清洗装置及分部清洗方法，以解决上述的技术问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：

一种氮化镓反应釜的分部清洗装置，用于清洗至少具有釜盖和釜体的反应釜，包括清洗模组和管路系统，所述清洗模组至少包括若干用于清洗釜体的釜体清洗部、以及若干用于清洗釜盖的釜盖清洗部，所述管路系统将反应溶液、水和高温气体依次地分别通入釜体清洗部和釜盖清洗部，以釜体清洗部中的釜体和清洗釜盖清洗部中的釜盖。

通过采用上述技术方案，鉴于当前所使用的反应釜存在尺寸较大，普通清洗装置无法满足清洗需求，本发明将反应釜拆开分为釜盖和釜体等多个部分，之后再通过设置釜盖清洗部和釜体清洗部等多个清洗部，来对反应釜的各个零部件分别地进行清洗；也为同时清洗大量大尺寸反应釜提供高效灵活的清洗方法，从而解决现有的清洗装置无法满足大尺寸反应釜的清洗需求的问题；

此外，本发明当中无论是对反应釜的釜盖进行清洗，还是釜体进行清洗，清洗工艺均包括三个工艺步骤，即先通过反应溶液与反应釜内壁残留的原材料、矿化剂或反应中间物进行充分反应，然后利用去离子水进行冲洗，最后通过高温气体干燥。

作为优选，所述分部清洗装置用于清洗包括釜盖、釜体和连接件的反应釜，所述清洗模组包括用于清洗釜体的釜体清洗部、用于清洗釜盖的釜盖清洗部、以及用于清洗连接件的连接件清洗部。

通过采用上述技术方案，本发明给出一个较佳的方式，即将反应釜分成釜盖、釜体和连接件这三个部分，然后通过设置釜盖清洗部、釜体清洗部和连接件清洗部来分别对这三个部分进行清洗工作，以实现分部清洗，避免因反应釜尺寸过大而导致的清洗不便。

作为优选，所述管路系统包括溶液槽、主水管、气体控制箱、进液管、进水管、进气管和喷淋管；所述溶液槽用于盛放反应溶液，且通过若干进液管将反应溶液分别通入不同清洗部；所述主水管内通有水，且通过若干进水管将水分别通入清洗模组当中的不同清洗部；所述气体控制箱用于加热气体，且通过进气管将高温气体分别通入不同清洗部。

通过采用上述技术方案，溶液槽为反应溶液的储存地方，若清洗工作需用到反应溶液，则通过供液泵等部件将反应溶液泵至所需要的清洗部；主水管为各个清洗部供水；气体控制箱当中设有多个加热器，加热器用于加热气体控制箱内的气体，经过加热形成高温气体通至各个清洗部以干燥反应釜。