[发明专利]形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构

权利要求书

1.一种形成栅电极结构的方法，所述方法包含以下步骤：

在反应器的反应室内提供衬底；并且

使用循环沉积工艺，将氮化钒层沉积到所述衬底的表面上，

其中所述循环沉积工艺包含：

向所述反应室提供卤化钒前体；并且

向所述反应室提供氮反应物。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述卤化钒前体包含卤化钒和卤氧化钒中的一种或多种。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述卤化钒选自由以下组成的群组：氟化钒、氯化钒、溴化钒和碘化钒。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述卤氧化钒选自由以下组成的群组：氟氧化钒、氯氧化钒、溴氧化钒和碘氧化钒。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积工艺包含原子层沉积工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积工艺包含循环化学气相沉积工艺。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述循环沉积工艺包含热工艺。

8.根据权利要求1所述的方法，其中向所述反应室提供所述氮反应物的所述步骤的持续时间大于或等于5秒、或大于或等于10秒、或在约5秒与约10秒之间。

9.根据权利要求1所述的方法，其中在所述循环沉积工艺期间，所述反应室内的所述衬底的温度在约20℃与约800℃之间。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述循环沉积工艺期间，所述反应室内的压力小于760托。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮反应物选自以下中的一种或多种：氨(NH₃)、肼(N₂H₄)以及包含氮和氢或由氮和氢组成的其它化合物。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述氮反应物不包括二原子氮。

13.一种形成包含氮化钒层的结构的方法，所述方法包含以下步骤：

在反应器的反应室内提供衬底；并且

使用热循环沉积工艺，将包含氮化钒的层沉积到所述衬底的表面上，

其中所述热循环沉积工艺包含：

向所述反应室提供卤化钒前体；并且

向所述反应室提供氮反应物。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述卤化钒前体包含卤化钒和卤氧化钒中的一种或多种。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述氮反应物选自以下中的一种或多种：氨(NH₃)、肼(N₂H₄)以及包含氮和氢或由氮和氢组成的其它化合物。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述氮反应物不包括二原子氮。

17.根据权利要求13所述的方法，其中所述热循环沉积工艺包含循环化学气相沉积工艺和原子层沉积工艺中的一种或多种。

18.根据权利要求1到17中任一项所述的方法，其中所述热循环沉积工艺不包含使用氮等离子体。

19.根据权利要求1到17中任一项所述的方法，其中所述热循环沉积工艺不包含使用激发态氮物种。

20.根据权利要求1到17中任一项所述的方法，其中所述热循环沉积工艺不包含使用氮自由基。