[发明专利]一种毫米波宽带雷达平台在审

专利信息
申请号: 202011429904.8 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112558054A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 王力宝 申请(专利权)人: 武汉雷博合创电子科技有限公司
主分类号: G01S13/02 分类号: G01S13/02;G01S7/34;G01S7/35;H03F1/26
代理公司: 武汉红观专利代理事务所(普通合伙) 42247 代理人: 陈凯
地址: 430000 湖北省武汉市江岸区汉黄*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 毫米波 宽带 雷达 平台
【权利要求书】:

1.一种毫米波宽带雷达平台,包括主平台和辅助平台,主平台和辅助平台均包括天线模块和射频模块,天线模块包括接收天线,射频模块包括低噪声放大器和混频器,其特征在于:

低噪声放大器包括变压器T1、输入匹配电路、MOS管M1~M6、电感L5~L10、电容C5~C8及电阻R1;

接收天线经变压器T1的原边绕组接地,变压器T1副边绕组的两端经输入匹配电路分别连接MOS管M1和MOS管M2的栅极,电源VDD分别经电感L5连接MOS管M1的漏极、经电感L6连接MOS管M2的漏极,MOS管M1和MOS管M2的源极均接地;

电源VDD还依次经电感L7、MOS管M4、MOS管M3接地,MOS管M4的漏极经电容C5连接混频器的输入端,电源VDD还依次经电感L8、MOS管M5、MOS管M6接地,MOS管M5的漏极经电容C6连接混频器的输入端,电源VDD还经电阻R1分别连接MOS管M4和MOS管M5的栅极;

MOS管M1的漏极还依次经电容C7、电感L9连接MOS管M3的栅极,MOS管M2的漏极还依次经电容C8、电感L10连接MOS管M6的栅极。

2.如权利要求1所述的毫米波宽带雷达平台,其特征在于,主平台用于显示目标探测信息并控制信号参数、采样参数及CFAR门限,辅助平台用于控制雷达调制带宽、调制周期参数、时频处理参数并显示微动目标时频信息。

3.如权利要求2所述的毫米波宽带雷达平台,其特征在于,主平台和辅助平台还均包括数据采集模块、数字处理模块及终端显控模块,天线模块还包括发射天线,射频模块还包括激励源、多相位滤波器及中频放大器;

激励源分别连接多相位滤波器的输入端及发射天线,多相位滤波器的输出端同样连接混频器的输入端,混频器的输出端经中频放大器连接数据采集模块,数据采集模块经数字处理模块连接终端显控模块;

主平台中,数据采集模块还直接连接终端显控模块。

4.如权利要求3所述的毫米波宽带雷达平台,其特征在于,发射天线及接收天线均采用微带贴片单元组成的串馈线性阵列天线,发射天线和接收天线分置。

5.如权利要求3所述的毫米波宽带雷达平台,其特征在于,主平台中,数据采集模块的采样率为25Msps;辅助平台中,数据采集模块的采样率为500Ksps。

6.如权利要求5所述的毫米波宽带雷达平台,其特征在于,主平台中,数据采集模块还通过千兆网口连接上位机;辅助平台中,数据采集模块还通过USB接口连接上位机。

7.如权利要求1所述的毫米波宽带雷达平台,其特征在于,低噪声放大器还包括MOS管M7~M10;

电源VDD经电感L7后还依次经MOS管M8、MOS管M7接地,MOS管M8的栅极连接MOS管M4的栅极,MOS管M7的栅极连接MOS管M3的栅极;

电源VDD经电感L8后还依次经MOS管M9、MOS管M10接地,MOS管M9的栅极连接MOS管M5的栅极,MOS管M10的栅极连接MOS管M6的栅极。

8.如权利要求7所述的毫米波宽带雷达平台,其特征在于,输入匹配电路包括电感L2和电感L4,电感L2接入MOS管M1的源极与地之间,电感L4接入MOS管M2的源极与地之间。

9.如权利要求8所述的毫米波宽带雷达平台,其特征在于,输入匹配电路还包括电感L1、电感L3及电容C1~C4;

变压器T1副边绕组的一端依次经电感L1、电容C1连接MOS管M1的栅极,变压器T1副边绕组与电感L1的公共端经电容C2接地;

变压器T1副边绕组的另一端依次经电感L3、电容C3连接MOS管M2的栅极,变压器T1副边绕组与电感L3的公共端经电容C4接地。

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