[发明专利]一种MOS芯片亚阈值低供电基准电压源电路有效

专利信息
申请号: 202011430151.2 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112486234B 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 吴云如 申请(专利权)人: 宗汉电通技术(深圳)有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳众邦专利代理有限公司 44545 代理人: 王金
地址: 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 mos 芯片 阈值 供电 基准 电压 电路
【权利要求书】:

1.一种MOS芯片亚阈值低供电基准电压源电路,其特征在于,其包括电流温度补偿电路和电流电压转换电路;

电流温度补偿电路主要用于产生受温度变化影响不大的基准电流;

电流电压转换电路将输入的基准电流转换为基准电压并输出;

电流温度补偿电路包括MOS管M1至M18;

电流电压转换电路包括MOS管M19至M30,输出端口VREF;

MOS管M1的源极连接电源VDD,MOS管M1的栅极连接MOS管M2的漏极,MOS管M1的漏极连接MOS管M2的源极;MOS管M2的源极连接MOS管M4的漏极,MOS管M2的栅极连接MOS管M1的栅极,MOS管M2的漏极连接MOS管M3的漏极;MOS管M3的漏极连接MOS管M2的栅极,MOS管M3的栅极连接MOS管M8的栅极,MOS管M3的源极接地;MOS管M4的源极连接电源VDD,MOS管M4的栅极连接MOS管M4的漏极,MOS管M4的漏极连接MOS管M1的漏极;MOS管M5的源极连接电源VDD,MOS管M5的栅极连接MOS管M6的栅极,MOS管M5的漏极连接MOS管M6的源极,MOS管M5的衬底连接MOS管M4的栅极;MOS管M6的源极连接MOS管M9的源极,MOS管M6的栅极连接MOS管M7的栅极,MOS管M6的漏极连接MOS管M7的源极,MOS管M6的衬底连接MOS管M2的栅极;MOS管M7的源极连接MOS管M6的漏极,MOS管M7的栅极连接MOS管M7的漏极,MOS管M7的漏极连接MOS管M8的漏极,MOS管M7的衬底连接MOS管M6的衬底;MOS管M8的漏极连接MOS管M7的栅极,MOS管M8的栅极连接MOS管M10的栅极,MOS管M8的源极接地;MOS管M9的源极连接MOS管M5的漏极,MOS管M9的栅极连接MOS管M12的栅极,MOS管M9的漏极连接MOS管M10的漏极;MOS管M10的漏极连接MOS管M9的栅极,MOS管M10的栅极连接MOS管M18的栅极,MOS管M10的源极接地;MOS管M11的源极连接电源VDD,MOS管M11的栅极连接MOS管M11的源极,MOS管M11的漏极连接MOS管M12的源极;MOS管M12的源极连接MOS管M11的漏极,MOS管M12的栅极连接MOS管M9的漏极,MOS管M12的漏极连接MOS管M13的漏极;MOS管M13的漏极连接MOS管M12的漏极,MOS管M13的栅极连接MOS管M16的栅极,MOS管M13的源极接地;MOS管M14的源极连接电源VDD,MOS管M14的栅极连接MOS管M14的源极,MOS管M14的漏极连接MOS管M15的源极;MOS管M15的源极连接MOS管M14的漏极,MOS管M15的栅极连接MOS管M17的栅极,MOS管M15的漏极连接MOS管M16的漏极;MOS管M16的漏极连接MOS管M18的栅极,MOS管M16的栅极连接MOS管M13的漏极,MOS管M16的源极接地;MOS管M17的源极连接电源VDD,MOS管M17的栅极连接MOS管M17的漏极,MOS管M17的漏极连接MOS管M18的漏极;MOS管M18的漏极连接MOS管M17的栅极,MOS管M18的栅极连接MOS管M10的栅极,MOS管M18的源极接地;

MOS管M19的源极连接电源VDD,MOS管M19的栅极连接MOS管M17的栅极,MOS管M19的漏极连接MOS管M20的源极;MOS管M20的源极连接MOS管M19的漏极,MOS管M20的栅极连接MOS管M20的源极,MOS管M20的漏极连接MOS管M22源极;MOS管M21的源极连接MOS管M20的漏极,MOS管M21的栅极连接MOS管M21的漏极,MOS管M21的漏极连接MOS管M22的漏极;MOS管M22的源极连接MOS管M21的源极,MOS管M22的栅极连接MOS管M23的栅极,MOS管M22的漏极连接MOS管M24的漏极;MOS管M23的源极连接MOS管M22的源极,MOS管M23的栅极连接MOS管M22的漏极,MOS管M23的漏极连接MOS管M22的栅极;MOS管M24的漏极连接MOS管M21的漏极,MOS管M24的栅极连接MOS管M21的源极,MOS管M24的源极接地;MOS管M25的源极连接电源VDD,MOS管M25的栅极连接MOS管M19的栅极,MOS管M25的漏极连接MOS管M26的源极;MOS管M26的源极连接MOS管M25的漏极,MOS管M26的栅极连接MOS管M26的源极,MOS管M26的漏极连接MOS管M28的源极;MOS管M27的源极连接MOS管M28的源极,MOS管M27的栅极连接MOS管M27的漏极,MOS管M27的漏极连接MOS管M28的漏极,MOS管M27的衬底连接MOS管M28的衬底;MOS管M28的源极连接MOS管M29的源极,MOS管M28的栅极连接MOS管M27的栅极,MOS管M28的漏极连接MOS管M30的漏极,MOS管M28的衬底连接MOS管M23的漏极;MOS管M29的源极连接MOS管M30的栅极,MOS管M29的栅极连接MOS管M29的漏极,MOS管M29的漏极连接MOS管M28的漏极,MOS管M29的衬底连接MOS管M28的衬底;MOS管M30的漏极连接端口VREF,MOS管M30的栅极连接MOS管M27的源极,MOS管M30的源极接地。

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