[发明专利]一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容在审
申请号: | 202011431103.5 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112670087A | 公开(公告)日: | 2021-04-16 |
发明(设计)人: | 段阳;胡芳仁;成宏卜;张伟;张雪花 | 申请(专利权)人: | 南京邮电大学 |
主分类号: | H01G4/33 | 分类号: | H01G4/33;H01L27/11507 |
代理公司: | 广东有知猫知识产权代理有限公司 44681 | 代理人: | 崔新芬 |
地址: | 210023 江苏省南京市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 应用于 储存器 使用 薄膜 电容 | ||
1.一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容,包括硅基底层(1)、上电极层(2)、铁电薄膜层(3)以及下电极层(4),其特征在于:所述上电极层(2)、铁电薄膜层(3)以及下电极层(4)依次设置于硅基底层(1)上且在上电极层(2)、下电极层(4)与铁电薄膜层(3)之间分别设置有缓冲层(5),在所述缓冲层(5)与铁电薄膜层(3)之间设置有隔离层(6),所述上电极层(2)的上部设置有呈格栅状的金属互联(7)。
2.根据权利要求1所述的一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容,其特征在于:所述隔离层(6)采用YBa2Cu3O7通过脉冲激光沉积法附着于铁电薄膜层(3)上。
3.根据权利要求1所述的一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容,其特征在于:所述上电极层(2)采用铝电极,下电极层(2)采用铂电极。
4.根据权利要求1所述的一种应用于铁电储存器中使用的铁电薄膜电容,其特征在于:所述铁电薄膜层(3)为掺钽的铅锆钛薄膜层,厚度为200nm~450nm。
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