[发明专利]微图形结构转印方法及微图形结构基板在审

专利信息
申请号: 202011432425.1 申请日: 2020-12-09
公开(公告)号: CN112606583A 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 冯雪;傅棋琪;邓雨平 申请(专利权)人: 浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
主分类号: B41M3/00 分类号: B41M3/00;B41M5/382;B41M5/41;B41M5/44
代理公司: 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 代理人: 林丽璀
地址: 314006 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 图形 结构 方法
【权利要求书】:

1.一种微图形结构转印方法,其特征在于,包括:

a.提供一基板组件,所述基板组件包括施主基板及可剥离地设置在所述施主基板一侧表面的组合体,所述组合体包括依次层叠的微图形结构、第一牺牲层、第二牺牲层,所述微图形结构位于所述组合体的朝向所述施主基板的一侧;

b.将所述组合体从所述施主基板上剥离;

c.将所述组合体的具有所述微图形结构的一侧贴附在受主基板的表面;

d.除去所述第一牺牲层与所述第二牺牲层,使所述微图形结构转印到所述受主基板的表面。

2.根据权利要求1所述的微图形结构转印方法,其特征在于,步骤a,包括:

a1.在所述施主基板的一侧表面形成释放层;

a2.在所述释放层上依次形成所述微图形结构及所述第一牺牲层;

a3.将所述第二牺牲层贴附在所述第一牺牲层的表面,以及,处理所述释放层以降低所述施主基板与所述微图形结构之间的结合力。

3.根据权利要求2所述的微图形结构转印方法,其特征在于,所述释放层为聚甲基丙烯酸甲酯、壳聚糖、金属薄膜中的至少一种;和/或,所述释放层的厚度为0.5μm~1μm。

4.根据权利要求2所述的微图形结构转印方法,其特征在于,步骤a2,包括:

在所述微图形结构的表面滴涂或旋涂形成所述第一牺牲层。

5.根据权利要求3所述的微图形结构转印方法,其特征在于,所述释放层为聚甲基丙烯酸甲酯,步骤a3,包括:

将所述第二牺牲层贴附在所述第一牺牲层的表面;

利用丙酮溶液腐蚀除去所述释放层。

6.根据权利要求1所述的微图形结构转印方法,其特征在于,所述第一牺牲层与所述第二牺牲层为可溶性材料。

7.根据权利要求6所述的微图形结构转印方法,其特征在于,步骤d,包括:

利用蒸气熏蒸,使所述第一牺牲层与所述第二牺牲层溶解并暴露出所述微图形结构。

8.根据权利要求6所述的微图形结构转印方法,其特征在于,所述第二牺牲层为水溶性胶带;和/或,所述第一牺牲层为聚乙烯醇、聚丙烯酸中的至少一种,所述第一牺牲层的厚度为100μm~300μm。

9.根据权利要求1所述的微图形结构转印方法,其特征在于,步骤b,包括:

将所述第二牺牲层、所述第一牺牲层及所述微图形结构的组合体从所述施主基板上机械剥离。

10.一种基板结构,其特征在于,包括基板与微图形结构,所述微图形结构通过如权利要求1-9中任一项所述的方法转印至所述基板的至少一侧表面。

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