[发明专利]一种基于Zn1-x

权利要求书

1.一种基于Zn1-xMgxO缓冲层的无机太阳能电池，其特征在于：该太阳能电池采用正置结构，从下到上依次为衬底，透明导电电极ITO，缓冲层，吸收层，金属电极；其中吸收层为CuSbS2，其中缓冲层使用Zn1-xMgxO。

2.根据权利要求1所述的一种基于Zn1-xMgxO缓冲层的无机太阳能电池，其特征在于：所述的缓冲层为二水乙酸锌和四水乙酸镁按照比例混合的溶液经喷雾热解后形成的固体薄膜；其中Mg²⁺比例为0、20％、40％、80％、100％，所述的缓冲层厚度范围为50～120nm。

3.根据权利要求1所述的一种基于Zn1-xMgxO缓冲层的无机太阳能电池，其特征在于：所述的吸收层由乙酸铜、醋酸锑、硫脲配置而成，厚度范围为700～1000nm，所述溶液中乙酸铜、醋酸锑、硫脲按Cu⁺:Sb⁺:S＝1:1.03:2摩尔比配置而成，所述溶液浓度为0.056mol/L。

4.根据权利要求1所述的一种基于Zn1-xMgxO缓冲层的无机太阳能电池，其特征在于：所述金属电极为Au，薄膜厚度为60nm。

5.一种基于Zn1-xMgxO缓冲层的无机太阳能电池制备方法，其特征在于：所述方法包括如下步骤：

S1:对由透明衬底及透明导电电极ITO所组成的基板进行清洗,清洗后烘干；

S2:将配置好的前驱体溶液放入喷雾热解仪器中，在ITO基板上进行喷涂制备Zn1-xMgxO薄膜；

S3:在缓冲层上同样采用喷雾热解法制备CuSbS2吸收层；

S4:在吸收层表面采用离子溅射制备金属电极。