[发明专利]三维存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造三维存储器元件的方法，其中，包括：

提供一前驱结构，其中该前驱结构包括：

一衬底，具有一阵列区及一阶梯区；

一多层叠层，设置在该衬底上，其中该多层叠层包括交替布置的多个第一绝缘层及多个导电层；

多个垂直通道柱，设置在该多层叠层中且位于该衬底的该阵列区中；以及

一阻隔结构，设置在该多层叠层中且位于该衬底的该阶梯区中；

沿着一第一方向形成一第一狭缝及一第二狭缝于该多层叠层及该衬底中，其中该第一狭缝及该第二狭缝之间具有一间距，且该第二狭缝切割该阻隔结构；

以多个导电层取代这些第二绝缘层的一部分；以及

形成一第一狭缝结构及一第二狭缝结构在该第一狭缝及该第二狭缝中，其中该第一狭缝结构及该第二狭缝结构在一第二方向上分隔这些垂直通道柱，且该第二方向不同于该第一方向。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，该第二狭缝更垂直延伸至该衬底以形成一凹槽，该凹槽的一底表面位于该第一狭缝的一底表面下方。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，还包含在该第一狭缝及该第二狭缝中形成一间隔层，其中该间隔层具有一第一孔洞及一第二孔洞暴露出该衬底。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，该间隔层具有一厚度，该凹槽具有一宽度，且该厚度与该宽度的比大于0.5。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，以这些导电层取代这些第二绝缘层的一部分包括取代位于该衬底的该阵列区中的这些第二绝缘层。

6.一种三维存储器元件，其中，包括：

一衬底，具有一阵列区及一阶梯区，其中该衬底包含一下部部分及一上部部分；

一第一多层叠层，设置在该衬底上，其中该第一多层叠层包括交替布置的多个第一绝缘层及多个导电层；

多个垂直通道柱，设置在该第一多层叠层中且位于该衬底的该阵列区中；

一阻隔结构，设置在该第一多层叠层中且位于该衬底的该阶梯区中；以及

一第一狭缝结构及一第二狭缝结构沿着一第一方向设置在该第一多层叠层及该衬底中，其中该第二狭缝结构与该阻隔结构接触，并且该第一狭缝结构及该第二狭缝结构在一第二方向上共同分隔这些垂直通道柱，其中该第二方向与该第一方向不同。

7.根据权利要求6所述的三维存储器元件，其中，该阻隔结构穿透该第一多层叠层，并延伸到该衬底的该上部部分中。

8.根据权利要求6所述的三维存储器元件，其中，该阻隔结构包含沿该第一方向延伸的一第一部分，以及沿该第二方向延伸且与该第二狭缝结构接触的一第二部分。

9.根据权利要求8所述的三维存储器元件，其中，该阻隔结构的该第一部分具有彼此间隔开的多个区段。

10.根据权利要求6所述的三维存储器元件，其中，还包含多个介电柱设置在该第一多层叠层及该衬底的该阶梯区中。