[发明专利]处理微结构部件的装置和方法在审
| 申请号： | 202011432934.4 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112951692A | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | N.奥特;T.卢克斯;J.韦尔特 | 申请（专利权）人： | 卡尔蔡司SMT有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/304 | 分类号： | H01J37/304;H01J37/30;H01J37/244;G03F1/74;G03F1/86;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王蕊瑞 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 处理 微结构 部件 装置 方法 | ||
1.一种处理微结构部件的装置，包括：
离子束源(130、230)，用于将离子束(135、235)施加到所述部件(100、200)的至少一些区域，其中，所述离子束的离子能量不大于5keV；以及
检测器(150、250)，用于检测在所述部件(100、200)处反向散射的粒子，
其中，所述检测器被设计为检测在所述部件处反向散射的离子。
2.一种处理微结构部件的装置，包括：
离子束源(130、230)，用于将离子束(135、235)施加到所述部件(100、200)的至少一些区域，其中，所述离子束的离子能量不大于5keV；以及
检测器(150、250)，用于检测在所述部件(100、200)处反向散射的粒子，
其中，所述装置配置为基于由所述检测器(150、250)供应的检测器信号来限定所述处理的结束。
3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述检测器被设计为检测在所述部件处反向散射的带电粒子，特别是离子或电子。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其特征在于，所述离子束(135，235)的离子能量不大于3keV，特别是不大于2keV。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征在于，所述离子束(135、235)的离子能量的值的范围为(0.1-5)keV，特别是范围为(0.5-3)keV，进一步特别是范围为(1-2)keV。
6.根据权利要求1、3至5中的任一项所述的装置，其特征在于，所述装置配置为基于由所述检测器(150、250)供应的检测器信号来限定所述处理的结束。
7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其特征在于，所述离子束(135、235)包括的离子来自含有以下的组：氢(H)离子、锂(Li)离子、钠(Na)离子、钾(K)离子、铷(Rb)离子、铯(Cs)离子、氮(N)离子、氦(He)离子、氖(Ne)离子、氩(Ar)离子、氪(Kr)离子和氙(Xe)离子。
8.根据前述权利要求中的任一项所述的装置，其特征在于，所述离子束(135、235)的焦斑直径小于10nm，特别是小于5nm，进一步优选地小于2nm。
9.根据前述权利要求中的任一项所述的装置，其特征在于，所述装置还包括用于将工艺气体附加地施加到所述部件(100、200)的气体供应(140、240)。
10.根据前述权利要求中的任一项所述的装置，其特征在于，所述微结构部件(100、200)上存在的结构具有小于10nm的结构尺寸。
11.根据前述权利要求中的任一项所述的装置，其特征在于，所述微结构部件的处理包括对位于所述微结构部件(100、200)上存在的结构之间的材料的烧蚀。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的装置，其特征在于，所述部件(100)是微光刻掩模。
13.根据权利要求1至11中任一项所述的装置，其特征在于，所述部件(200)是微光刻结构化的掩模。
14.一种微结构部件的处理方法，其中，所述方法包括以下步骤：
将离子束(135、235)施加到所述部件(100、200)，其中，所述离子束的离子能量不大于5keV；以及
使用检测器(150、250)来检测在所述部件(100、200)处反向散射的粒子，
其中，所述粒子是离子。
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