[发明专利]一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法在审

专利信息
申请号: 202011433953.9 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112541314A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 常登辉 申请(专利权)人: 成都博思微科技有限公司
主分类号: G06F30/36 分类号: G06F30/36
代理公司: 成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218 代理人: 袁英
地址: 610000 四川省成都*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 性能 压控振荡器 片上键合线 电感 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,所述片上键合线电感设计方法包括以下步骤:

S1:根据工艺库文件,建立三种不同片上螺旋电感的物理模型,采用EDA软件对其进行S参数仿真;

S2:根据仿真结果修调工艺参数,使S参数仿真与片上螺旋电感参数吻合;

S3:建立片上键合线电感的物理模型,进行S参数仿真;

S4:建立片上键合线电感的RLC集总参数模型;

S5:通过EDA软件仿真,拟合片上键合线电感RLC集总参数模型里的元器件参数。

2.如权利要求1所述的一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,所述工艺参数包括:硅基衬底电导率和金属走线电导率。

3.如权利要求1所述的一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,所述步骤S1还包括以下子步骤:

S11. 在EDA软件中,根据工艺库文件参数,设置参数信息;

S12. 对工艺库中的三个电感进行仿真;

S13. 分别记录仿真的电感值和Q值,并与工艺库中的三个电感参数进行比对。

4.如权利要求1所述的一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,步骤S3还包括:对键合线与金属走线粘接处进行形状建模。

5.如权利要求1所述的一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,所述步骤S4还包括以下子步骤:S41. 将集总参数的元器件设置为可自动调节;

S42. 拟合集总参数模型仿真的电感值、Q值和片上键合线电感仿真出来的电感值、Q值,直到两者参数基本吻合。

6.如权利要求1所述的一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,所述片上键合线电感的物理模型中,键合丝和顶层金属PAD交接处设置为圆形。

7.如权利要求1所述的一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,所述片上键合线电感的集总参数模型中,PLUS端依次连接第一并联电路和电感Ls1;在MINUS端依次连接第二并联电路和电感Ls2;所述电感Ls1连接电感Ls2;PLUS端和MINUS端之间设置有耦合电容Cp;所述片上键合线电感的PLUS端与第一衬底之间设置有第一寄生电容,所述MINUS端与第二衬底之间设置有第二寄生电容,所述CT端与第三衬底之间设置有第三寄生电容,所述衬底和地线之间设置有并联的寄生电容和电阻。

8.如权利要求7所述的一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,所述衬底和地线之间设置有并联的寄生电容和电阻。

9.如权利要求7所述的一种用于高性能压控振荡器的片上键合线电感设计方法,其特征在于,所述电感Ls1和电感Ls2之间存在相互作用,其互感系数为K;所述并联电路由第一电阻、第二电阻和电感组成,所述第一电阻连接电感,并与第二电阻并联。

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