[发明专利]具有触摸传感器的显示装置在审
申请号: | 202011434721.5 | 申请日: | 2020-12-10 |
公开(公告)号: | CN113066821A | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 金兑龙;Y·洪 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77;H01L51/52;G06F3/041 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;王鹏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 触摸 传感器 显示装置 | ||
1.一种显示装置,包括:
包括多个子像素的第一基板;
在所述第一基板的每个子像素中的薄膜晶体管;
在所述第一基板的每个子像素中的有机发光元件;
在所述薄膜晶体管和所述有机发光元件上方的绝缘层;
在所述绝缘层上方的触摸传感器;
覆盖所述触摸传感器的钝化层;以及
设置在所述钝化层上方的第二基板,
其中,在所述绝缘层中形成有多个凹部,并且所述凹部填充有所述钝化层以形成粘结增强部。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述绝缘层包括:
无机封装层;
在所述无机封装层上方的有机封装层;
有所述有机封装层上方的缓冲层;以及
在所述缓冲层上方的间层。
3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述凹部形成在所述间层中。
4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述凹部形成在所述间层和所述缓冲层中以使所述有机封装层露出,并且所述粘结增强部形成在所述凹部的内部,使得所述粘结增强部与所述有机封装层的露出的表面接触。
5.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述凹部穿透所述间层和所述缓冲层并形成在所述有机封装层的一部分中,并且所述粘结增强部形成在所述凹部的内部,使得所述粘结增强部与所述有机封装层的内部接触。
6.根据权利要求2所述的显示装置,还包括在所述子像素之间的堤层。
7.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述凹部形成在所述间层、所述缓冲层、所述有机封装层和所述无机封装层中,以使所述堤层的表面的一部分露出,并且所述粘结增强部形成在所述凹部的内部,使得所述粘结增强部与所述堤层的露出的表面接触。
8.根据权利要求6所述的显示装置,其中,所述凹部形成在所述间层、所述缓冲层、所述有机封装层和所述无机封装层中,并且形成在所述堤层的一部分中,所述粘结增强部形成在在凹部中,使得所述粘结增强部与所述堤层的内部接触。
9.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述无机封装层和所述有机封装层形成在所述第一基板的外部以封装其结构,并且所述无机封装层在所述有机封装层的外部设置在所述第一基板上。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述凹部形成在在所述第一基板上的所述无机封装层中,并且所述钝化层延伸至所述第一基板的外部部分,使得所述粘结增强部形成在所述凹部内部。
11.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述凹部形成在所述第一基板的外部部分处的基板中,并且所述钝化层延伸至所述第一基板的外部部分,使得所述粘结增强部形成在所述凹部的内部。
12.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述凹部形成为圆形、椭圆形或多边形。
13.根据权利要求1所述的显示装置,其特征在于,所述凹部形成为其中下部的面积比入口的面积大的底切形状。
14.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一基板由基于玻璃或塑料的材料制成。
15.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述触摸传感器包括:
在所述缓冲层上的桥;
在所述间层上的第一触摸电极,所述第一触摸电极通过形成在所述间层中的接触孔电连接至所述桥;以及
在所述间层上的第二触摸电极。
16.根据权利要求15所述的显示装置,其中,所述凹部和所述粘结增强部形成在所述第一触摸电极与所述第二触摸电极之间的每个区域中。
17.一种制造显示装置的方法,包括:
在包括多个子像素的第一基板上形成每个子像素中的薄膜晶体管和有机发光元件;
在所述第一基板上沉积绝缘层以覆盖所述薄膜晶体管和所述有机发光元件;
在所述绝缘层上方形成触摸传感器;
刻蚀所述绝缘层以形成多个凹部;
沉积钝化层以覆盖所述触摸传感器,并且通过所述钝化层填充所述凹部以形成粘结增强部;以及
在所述钝化层上方附接第二基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的