[发明专利]一种电流测量方法、电路以及使用该电路的装置在审

专利信息
申请号: 202011434959.8 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112557735A 公开(公告)日: 2021-03-26
发明(设计)人: 杨勇;黄科;苗小雨;陈晓;周彦;李振华 申请(专利权)人: 中微半导体(深圳)股份有限公司
主分类号: G01R19/00 分类号: G01R19/00;G01R1/36;H02H3/08
代理公司: 成都坤伦厚朴专利代理事务所(普通合伙) 51247 代理人: 刘坤
地址: 518000 广东省深圳市南山区南头*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电流 测量方法 电路 以及 使用 装置
【权利要求书】:

1.一种电流测量方法,其特征在于:将电源与第一P型MOS管漏极连接;

将第一P型MOS管、第一负载、第一电阻串行连接;

将第一驱动器与所述第一P型MOS管栅极连接;

所述第一驱动器产生周期信号,所述周期信号控制所述第一P型MOS管周期性地导通断开;

将第一测量单元连接于所述第一电阻两端;

在所述第一P型MOS管断开周期,所述第一测量单元输出内部电流,所述内部电流流经所述第一电阻,所述测量单元输出测量电压V1;

在所述第一P型MOS管导通周期,流经所述第一P型MOS管、第一负载、第一电阻的电流相同,所述测量单元输出测量电压V2;

所述第一计算单元用于根据所述测量电压V1和V2计算在所述第一P型MOS管导通周期流经所述第一负载的电流。

2.一种电路,其特征在于:包括第一P型MOS管、电源、第一负载、第一电阻、第一驱动器、第一测量单元、第一计算单元;

所述电源与第一P型MOS管漏极连接;

所述第一P型MOS管、第一负载、第一电阻串行连接;

所述第一驱动器与所述第一P型MOS管栅极连接;

所述第一驱动器产生周期信号,所述周期信号控制所述第一P型MOS管周期性地导通断开;

所述第一测量单元连接于所述第一电阻两端;

在所述第一P型MOS管断开周期,所述第一测量单元输出内部电流,所述内部电流流经所述第一电阻,所述测量单元输出测量电压V1;

在所述第一P型MOS管导通周期,流经所述第一P型MOS管、第一负载、第一电阻的电流相同,所述测量单元输出测量电压V2;

所述第一计算单元用于根据所述测量电压V1和V2计算在所述第一P型MOS管导通周期流经所述第一负载的电流。

3.根据权利要求2所述的一种电路,其特征在于:还包括第一控制器;

所述第一运算处理单元与所述第一控制器连接,接收所述第一运算处理单元的信号;

所述第一控制器接收到的信号大于第一阈值时,控制所述第一驱动器输出断开所述第一P型MOS管的信号。

4.根据权利要求2所述的一种电路,其特征在于:还包括第一模数转换器、第一控制器;

所述第一模数转换器与所述第一运算处理单元连接;

所述第一模数转换器将所述第一运算处理单元的输出信号转换为数字信号;

所述第一控制器接收所述第一模数转换器的数字信号;

所述第一控制器根据所述数字信号控制所述第一驱动器产生的周期信号的占空比。

5.一种电子装置,其特征在于:使用如权利要求2所述的一种电路进行电流测量。

6.一种电子装置,其特征在于:使用如权利要求3所述的一种电路进行过流保护。

7.一种电子装置,其特征在于:使用如权利要求4所述的一种电路进行功率控制。

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