[发明专利]全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路

权利要求书

1.一种全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，包含：

第一串接支路，用以产生偏压电流，该第一串接支路包含串接的第一电流源与二极管连接形式的第一N型电晶体，连接于第一连接节点，且位于电源供应电压与地之间；

第二串接支路，其包含串接的第二电流源、二极管连接形式的第二N型电晶体及第三N型电晶体，其中该第二N型电晶体设于该第二电流源与该第三N型电晶体之间，该第二N型电晶体与该第三N型电晶体连接于第二连接节点，且该第二N型电晶体与该第三N型电晶体的闸极连接在一起；

第三串接支路，其包含串接的第三电流源与二极管连接形式的第四N型电晶体，连接于输出节点以提供参考电压，且该偏压电流镜射至该第三电流源；及

放大器，其非反向节点连接至该第一连接节点，反向节点连接至该第二连接节点；

其中该第三N型电晶体的临界电压大于该第二N型电晶体的临界电压。

2.根据权利要求1所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，该第三N型电晶体包含适用于较高电源供应电压的金属氧化物半导体场效应电晶体，该较高电源供应电压高于该全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路的电源供应电压。

3.根据权利要求2所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，该第二N型电晶体包含适用于该全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路的电源供应电压。

4.根据权利要求1所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，该第一N型电晶体使用具有标准型态临界电压的金属氧化物半导体场效应电晶体，该标准型态临界电压大于中等型态临界电压。

5.根据权利要求1所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，该第一电流源包含第一P型电晶体，该第二电流源包含第二P型电晶体，且该第三电流源包含第三P型电晶体。

6.根据权利要求5所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，该第一P型电晶体的源极连接至电源供应电压，该第一P型电晶体与该第一N型电晶体的汲极连接于该第一连接节点，且该第一N型电晶体的源极连接至地。

7.根据权利要求5所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，该第二P型电晶体的源极连接至电源供应电压，该第二P型电晶体与该第二N型电晶体的汲极连接在一起，该第二N型电晶体的源极与该第三N型电晶体的汲极连接在一起，且该第三N型电晶体的源极连接至地。

8.根据权利要求5所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，该第三P型电晶体的源极连接至电源供应电压，该第三P型电晶体的汲极连接至该输出节点；该第一P型电晶体、该第二P型电晶体及该第三P型电晶体的闸极连接在一起；且该第四N型电晶体的汲极连接至该输出节点，源极连接至地。

9.根据权利要求5所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，该放大器的输出端连接至该第一P型电晶体、该第二P型电晶体及该第三P型电晶体的闸极。

10.根据权利要求9所述的全金属氧化物半导体场效应电晶体的电压参考电路，其特征在于，更包含：

防噪音电容器，连接于该放大器的输出端与电源供应电压之间。