[发明专利]一种半导体衬底处理装置在审
| 申请号： | 202011435862.9 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114628270A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 朱宁炳;朴兴雨;李河圣;熊文娟;蒋浩杰;崔恒玮;李亭亭 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 金铭 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 衬底 处理 装置 | ||
1.一种热处理系统，包括：
热处理反应腔室；
可控的辐射热源；
支撑组件，用于支撑位于其上并与所述辐射热源相对的衬底，所述支撑组件可对所述衬底进行旋转；
驱动部件，用于驱动所述衬底和/或所述辐射热源运动，从而使得所述衬底与所述辐射热源沿着与所述衬底径向平行的方向产生往复相对运动。
2.根据权利要求所述的热处理系统，其特征在于：
所述驱动部件驱动所述衬底和/或所述辐射热源进行运动轨迹为直线的运动，从而使得所述衬底与所述辐射热源沿着与所述衬底径向平行的方向产生往复相对运动。
3.根据权利要求1任意一项所述的热处理系统，其特征在于：
所述驱动部件驱动所述衬底和/或所述辐射热源进行运动轨迹为圆形或椭圆形的运动，从而使得所述衬底与所述辐射热源沿着与所述衬底径向平行的方向产生往复相对运动。
4.一种半导体衬底的热处理方法，包括：
将半导体衬底装载于热处理反应腔室中；
控制辐射热源启动以对所述半导体衬底进行加热；
驱动半导体衬底进行旋转；
驱动所述衬底和/或所述辐射热源运动，从而使得所述衬底与所述辐射热源沿着与所述衬底平行的方向产生往复相对运动。
5.根据权利要求4所述的热处理方法，其特征在于：
所述衬底和/或所述辐射热源的运动轨迹为直线。
6.根据权利要求5所述的热处理方法，其特征在于：
所述直线运动的行程在1-10mm之间。
7.根据权利要求5所述的热处理系统，其特征在于：
所述直线运动的频率为0-10Hz。
8.根据权利要求4所述的热处理系统，其特征在于：
所述衬底和/或所述辐射热源的运动轨迹为圆形或椭圆形。
9.根据权利要求4所述的热处理方法，其特征在于：
所述驱动半导体衬底进行旋转与驱动所述衬底和/或所述辐射热源运动，是同时进行的。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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