[发明专利]一种面向LNA提升增益且降噪的电路

权利要求书

1.一种面向LNA提升增益且降噪的电路，包括输入电源Vin、第一电阻Rs、第二电阻RF、第三电阻RD、第一射频晶体管M1、输出电源Vout、接地电容C2，输入电源Vin产生输入信号且连接第一电阻Rs的一端，第一电阻Rs的另一端、第二电阻RF的一端连接于X点后，与第一射频晶体管M1的栅极连接，直流电源VDD连接第三电阻RD的一端，第三电阻RD的另一端、第二电阻RF的另一端连接于Y点后，与第一射频晶体管M1的漏极连接，Y点还连接输出电源Vout，第一射频晶体管M1的源极连接接地电容C2的一端，接地电容C2的另一端接地，其特征在于，还包括第一接地电阻Radd1及电流复用噪声抵消单元，所述第一接地电阻Radd1一端连接第一射频晶体管M1的衬底，第一接地电阻Radd1的另一端接地，所述电流复用噪声抵消单元设有隔离端a、第一输入耦合端b及第一输出耦合端c，隔离端a连接第一射频晶体管M1的源极，将电流复用噪声抵消单元与第一射频晶体管M1交流隔离，所述第一输入耦合端b通过X点连接第一射频晶体管M1的栅极，将输入信号耦合；第一输出耦合端c与第一射频晶体管M1的漏极均连接输出电源Vout，将交流信号耦合至第一射频晶体管M1的漏极所连的Y点；

所述电流复用噪声抵消单元还包括第一输入耦合电容C1、第一输出耦合电容C3、隔离电感L1、偏置输入端Vb1、第一输入电阻Rb1、第二射频晶体管M2及第二接地电阻Radd2，偏置输入端Vb1连接第一输入电阻Rb1的一端，第一输入电阻Rb1的另一端连接第二射频晶体管M2的栅极，第二射频晶体管M2的源极接地，第二射频晶体管M2的栅极依次通过第一耦合电容C1、第一输入耦合端b、X点连接第一射频晶体管M1的栅极，将输入信号耦合；第二射频晶体管M2的衬底连接第二接地电阻Radd2的一端，第二接地电阻Radd2的另一端接地；第二射频晶体管M2的漏极依次通过隔离电感L1、隔离端a连接第一射频晶体管M1的源极，第二射频晶体管M2的漏极依次通过第二耦合电容C3、第一输出耦合端c连接输出电源Vout。

2.根据权利要求1所述的面向LNA提升增益且降噪的电路，其特征在于，所述第一射频晶体管M1或第二射频晶体管M2包括：源衬电容、漏衬电容、栅源电容、栅漏电容、信号走向计gmVgs、n阱电容C_n-well、n阱电阻R_n-well、衬底电阻R_sub及衬底电容C_sub，栅源电容的一端及栅漏电容的一端均连接栅极G，栅漏电容另一端分别连接信号走向计gmVgs的一端及漏极D，信号走向计gmVgs的另一端与栅源电容的另一端均连接源极S，源极S还连接源衬电容的一端，源衬电容的另一端连接B点，漏衬电容一端连接漏极D，另一端连接B点，衬底电阻R_sub的一端接地，另一端连接衬底电容C_sub的一端，衬底电容C_sub的另一端通过n阱电容C_n-well连接B点，n阱电阻R_n-well的一端接地，另一端连接衬底电容C_sub，n阱电阻R_n-well的阻值与衬底电阻R_sub的阻值相同，n阱电容C_n-well的电容值与衬底电容C_sub的电容值相同。

3.根据权利要求2所述的面向LNA提升增益且降噪的电路，其特征在于，第一射频晶体管M1的源衬电容的另一端连接第一接地电阻Radd1的一端，第一接地电阻Radd1的另一端接地。

4.根据权利要求3所述的面向LNA提升增益且降噪的电路，其特征在于，第二射频晶体管M1的源衬电容的另一端连接第二接地电阻Radd2的一端，第二接地电阻Radd2的另一端接地。

5.根据权利要求4所述的面向LNA提升增益且降噪的电路，其特征在于，第一接地电阻Radd1的阻值与第二接地电阻Radd2的阻值相等。

6.根据权利要求5所述的LNA提升增益且降噪的电路，其特征在于，第一接地电阻Radd1的阻值与第二接地电阻Radd2的阻值均不低于10kΩ。