[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的制备方法及晶体硅太阳能电池

权利要求书

1.一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：

对N型晶体硅片进行清洗和制绒处理；

在所述晶体硅片的正面进行硼扩散，形成依次层叠的P型发射极和硼硅玻璃层，用酸溶液去除扩散至所述晶体硅片背面的硼硅玻璃；

在所述晶体硅片的背面制备隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层上依次沉积多晶硅层和磷硅玻璃层，用酸溶液或碱溶液去除扩散至所述晶体硅片正面的多晶硅和磷硅玻璃；

通过高温退火工艺，将所述晶体硅片背面的磷硅玻璃层中的磷掺杂到所述晶体硅片背面的多晶硅层和所述晶体硅片中；

用酸溶液去除所述晶体硅片背面的磷硅玻璃层和正面的硼硅玻璃层；

在所述晶体硅片的正面和背面分别沉积钝化膜层；

在所述晶体硅片的正面和背面分别制备金属电极。

2.一种晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：

对N型晶体硅片进行清洗和制绒处理；

在所述晶体硅片的正面进行硼扩散，形成依次层叠的P型发射极和硼硅玻璃层，用酸溶液去除扩散至所述晶体硅片背面的硼硅玻璃；

在所述晶体硅片的背面制备隧穿氧化层，在所述隧穿氧化层上依次沉积多晶硅层和磷硅玻璃层，用酸溶液或碱溶液去除扩散至所述晶体硅片正面的磷硅玻璃；

通过高温退火工艺，将所述晶体硅片背面的磷硅玻璃层中的磷掺杂到所述晶体硅片背面的多晶硅层和所述晶体硅片中；

用酸溶液去除所述晶体硅片背面的磷硅玻璃层、扩散至所述晶体硅片正面的多晶硅和所述晶体硅片正面的硼硅玻璃层；

在所述晶体硅片的正面和背面分别沉积钝化膜层；

在所述晶体硅片的正面和背面分别制备金属电极。

3.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述酸溶液选自硝酸、氢氟酸或其混合物；和/或：

所述碱溶液选自氢氧化钠、氢氧化钾或其混合物。

4.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述隧穿氧化层上沉积多晶硅层的方法选自LPCVD或PECVD。

5.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，在所述多晶硅层上沉积所述磷硅玻璃层的方法选自LPCVD、PECVD或扩散沉积法。

6.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，

所述隧穿氧化层上的多晶硅层的厚度为30～200nm；

所述隧穿氧化层上的多晶硅层的沉积温度为500～650℃。

7.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层上的磷硅玻璃层的厚度为10～100nm。

8.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述多晶硅层上的磷硅玻璃层的沉积温度为500～800℃。

9.根据权利要求1或2所述的晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述高温退火工艺中，退火温度为750～1000℃。

10.一种晶体硅太阳能电池，其特征在于，采用如权利要求1或2所述的方法制备，所述晶体硅太阳能电池包括：N型晶体硅片；设于所述N型晶体硅片正面的P型发射极、正面钝化层和正面金属电极；设于所述N型晶体硅片背面的隧穿氧化层、利用磷硅玻璃作为掺杂源形成的掺杂多晶硅层、背面钝化层和背面金属电极。