[发明专利]电致发光显示装置

权利要求书

1.一种电致发光显示装置，具有多个像素，其中每个像素包括：

驱动晶体管，所述驱动晶体管具有连接至第一节点的栅极、连接至第三节点的源极和连接至第四节点的漏极，其中在向所述第三节点施加高电平源电压时，所述驱动晶体管产生对应于数据电压的像素电流；

发光元件，所述发光元件连接在所述第四节点和低电平源电压的输入端子之间；

内部补偿器，所述内部补偿器包括：连接在所述第一节点和第二节点之间的第一电容器；和连接在所述第二节点和所述高电平源电压的输入端子之间的第二电容器，所述内部补偿器根据多个开关晶体管在初始化时段、数据写入时段和发光时段的操作来控制所述第一节点、所述第二节点、所述第三节点和所述第四节点的电压，其中基于第一扫描信号、与所述第一扫描信号的相位相反的第二扫描信号、比所述第一扫描信号的相位滞后的第三扫描信号以及发光信号来依次设置所述初始化时段、所述数据写入时段和所述发光时段；以及

刷新晶体管，所述刷新晶体管用于在位于所述初始化时段之前的刷新时段中，根据比所述第一扫描信号的相位领先的第四扫描信号，将所述高电平源电压施加给所述第二节点。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述刷新晶体管包括：栅极，连接至所述第四扫描信号的输入端子；第一电极，连接至所述高电平源电压的输入端子；以及连接至所述第二节点的第二电极。

3.根据权利要求1所述的电致发光显示装置，其中所述内部补偿器在所述初始化时段中将初始化电压施加至所述第一节点和所述第四节点，在所述数据写入时段中将所述数据电压施加至所述第二节点，并且在所述发光时段中将所述驱动晶体管的阈值电压反映在所述驱动晶体管的栅极-源极电压中。

4.根据权利要求3所述的电致发光显示装置，其中所述内部补偿器还包括：

第一开关晶体管(T1)，用于在所述初始化时段中根据具有导通电平的第一扫描信号连接所述第二节点和所述第三节点，以将第一电压施加至所述第三节点，其中所述第一电压通过从所述初始化电压减去所述驱动晶体管的阈值电压而获得；

第二开关晶体管(T3)，用于在所述初始化时段中根据具有导通电平的第一扫描信号将所述初始化电压施加至所述第一节点；

第三开关晶体管(T5)，用于在所述初始化时段中根据具有导通电平的第二扫描信号来施加所述初始化电压；

第四开关晶体管(T2)，用于在所述数据写入时段中根据具有导通电平的第三扫描信号将所述数据电压施加至所述第二节点；以及

第五开关晶体管(T4)，用于在所述初始化时段和所述数据写入时段中根据具有截止电平的发光信号将所述高电平源电压的输入端子与所述第三节点之间的电连接断开，并且在所述发光时段中根据具有导通电平的发光信号将所述高电平源电压的输入端子与所述第三节点电连接。

5.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中：

所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管、所述第四开关晶体管和所述刷新晶体管的每一个被实现为具有氧化物半导体层的N沟道氧化物晶体管，

所述第三开关晶体管、所述第五开关晶体管和所述驱动晶体管的每一个被实现为具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的P沟道LTPS晶体管。

6.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中：

所述第二开关晶体管被实现为具有氧化物半导体层的N沟道氧化物晶体管，

所述第一开关晶体管、所述第三开关晶体管、所述第四开关晶体管、所述第五开关晶体管、所述刷新晶体管和所述驱动晶体管的每一个被实现为具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的P沟道LTPS晶体管。

7.根据权利要求4所述的电致发光显示装置，其中：

所述第四开关晶体管和所述刷新晶体管的每一个被实现为具有氧化物半导体层的N沟道氧化物晶体管，

所述第一开关晶体管、所述第二开关晶体管、所述第三开关晶体管、所述第五开关晶体管和所述驱动晶体管的每一个被实现为具有低温多晶硅(LTPS)半导体层的P沟道LTPS晶体管。