[发明专利]功率放大电路以及电子设备

权利要求书

1.一种功率放大电路，其特征在于，包括功率放大器、输入匹配网络和输出匹配网络，所述输入匹配网络的第一端连接输入节点，所述输入匹配网络的第二端连接所述功率放大器的第一端，所述功率放大器的第二端连接所述输出匹配网络的第一端，所述输出匹配网络的第二端连接输出节点，所述功率放大器为采用硅锗的多级级联功率放大器或采用硅锗的多级堆叠功率放大器。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大器为采用硅锗的二级级联功率放大器，所述多级级联功率放大器包括第一晶体管单元和第二晶体管单元；

所述第一晶体管单元的控制极连接所述输入匹配网络的第二端和第一供电电源，所述第一晶体管单元的第一极接地，所述第一晶体管单元的第二极连接所述第二晶体管单元的控制极和第一电源，所述第二晶体管单元的控制极连接第二供电电源，所述第二晶体管单元的第一极接地，所述第二晶体管单元的第二极连接第一电源和输出匹配网络的第一端，所述第一晶体管单元与所述第二晶体管单元均为硅锗的晶体管单元。

3.根据权利要求2所述的功率放大电路，其特征在于，所述二级级联功率放大器还包括第一供电电感、第二供电电感、第一偏置电感、第二偏置电感、级间电感和级间电容；

所述第一供电电感的一端连接所述第一供电电源，所述第一供电电感的另一端连接所述第一晶体管单元的控制极；

所述第一偏置电感的一端连接第一电源，所述第一偏置电感的另一端连接所述第一晶体管单元的第二极；

所述第二供电电感的一端连接所述第二供电电源，所述第二供电电感的另一端连接所述第二晶体管单元的控制极；

所述第二偏置电感的一端连接第一电源，所述第二偏置电感的另一端连接所述第二晶体管单元的第二极；

所述级间电容的一端连接所述第一晶体管单元的第一极，所述级间电容的另一端连接所述级间电感的一端，所述级间电感的另一端连接所述第二晶体管单元的控制极。

4.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大器为采用硅锗的二级堆叠功率放大器，所述二级堆叠功率放大器包括第三晶体管单元和第四晶体管单元；

所述第三晶体管单元的控制极连接所述输入匹配网络的第二端和第三供电电源，所述第三晶体管单元的第一极接地，所述第三晶体管单元的第二极连接所述第四晶体管单元的第一极；

所述第四晶体管单元的控制极连接第四供电电源，所述第四晶体管单元的第二极连接第二电源和所述输出匹配网络的第一端；

所述第三晶体管单元与所述第四晶体管单元均为硅锗的晶体管单元。

5.根据权利要求4所述的功率放大电路，其特征在于，所述二级堆叠功率放大器还包括第三供电电感、第四供电电感、第三偏置电感和第一供电电容；

所述第三供电电感的一端连接所述第三供电电源，所述第三供电电感的另一端连接所述第三晶体管单元的控制极；

所述第四供电电感的一端连接所述第四供电电源，所述第四供电电感的另一端连接所述第四晶体管单元的控制极；

所述第三偏置电感的一端连接第二电源，所述第三偏置电感的另一端连接所述第四晶体管单元的第二极；

所述第一供电电容的一端连接所述第四晶体管单元的控制极，所述第一供电电容的另一端接地。

6.根据权利要求1所述的功率放大电路，其特征在于，所述功率放大器为采用硅锗的三级堆叠功率放大器，所述三级堆叠功率放大器包括第五晶体管单元、第六晶体管单元和第七晶体管单元；

所述第五晶体管单元的控制极连接所述输入匹配网络的第二端和第五供电电源，所述第五晶体管单元的第一极接地，所述第五晶体管单元的第二极连接所述第六晶体管单元的第一极；

所述第六晶体管单元的控制极连接第六供电电源，所述第六晶体管单元的第二极连接所述第七晶体管单元的第一极；

所述第七晶体管单元的控制极连接第七供电电源，所述第七晶体管单元的第二极连接第三电源和所述输出匹配网络的第一端；

所述第五晶体管单元、所述第六晶体管单元与所述第七晶体管单元均为硅锗的晶体管单元。