[发明专利]集成多路径功率放大器

权利要求书

1.一种多路径放大器，其特征在于，包括：

半导体管芯；

第一晶体管，所述第一晶体管与所述半导体管芯一体形成并且具有第一输出端，其中穿过所述第一晶体管的第一信号路径在从所述第一晶体管的控制端到所述第一输出端的第一方向上延伸；

第二晶体管，所述第二晶体管与所述半导体管芯一体形成并且具有第二输出端和组合节点，其中所述第二输出端对应于所述组合节点或紧密电耦合到所述组合节点，并且其中穿过所述第二晶体管的第二信号路径在从所述第二晶体管的控制端到所述第二输出端的第二方向上延伸；以及

集成相位延迟电路，所述集成相位延迟电路被配置成向所述第一输出端和所述第二输出端之间承载的信号施加总体相位延迟，其中所述集成相位延迟电路包括耦合在所述第一输出端和所述第二输出端之间的延迟电路键合线，并且其中所述延迟电路键合线在与所述第二方向成角度地偏移的第三方向上延伸。

2.根据权利要求1所述的多路径放大器，其特征在于，所述总体相位延迟是90度，并且所述延迟电路键合线被配置成施加所述总体相位延迟的30度到80度。

3.根据在前的任一项权利要求所述的多路径放大器，其特征在于：

所述第一输出端具有细长的第一键合焊盘，所述细长的第一键合焊盘具有平行于所述第一信号路径的所述第一方向延伸的第一长度，并且所述延迟电路键合线沿着所述细长的第一键合焊盘的所述第一长度并联连接。

4.根据权利要求3所述的多路径放大器，其特征在于，所述第一输出端还包括：

细长的导电结构，所述细长的导电结构电耦合到所述细长的第一键合焊盘，其中所述细长的导电结构具有垂直于所述第一方向延伸的第二长度，并且所述细长的导电结构紧密电耦合到所述第一晶体管的漏极歧管。

5.根据权利要求3或4所述的多路径放大器，其特征在于：

所述第二输出端具有细长的第二键合焊盘，所述细长的第二键合焊盘具有平行于所述第二信号路径的所述第二方向延伸的第二长度，并且所述延迟电路键合线沿着所述细长的第二键合焊盘的所述第二长度并联连接。

6.根据权利要求5所述的多路径放大器，其特征在于，所述细长的第一键合焊盘和所述细长的第二键合焊盘并联布置。

7.根据权利要求5或6所述的多路径放大器，其特征在于，所述第二输出端还包括：

细长的第三键合焊盘，所述细长的第三键合焊盘电耦合到所述细长的第二键合焊盘，其中所述细长的第三键合焊盘具有垂直于所述第二方向延伸的第三长度，并且所述细长的第三键合焊盘紧密电耦合到所述第二晶体管的漏极歧管。

8.根据权利要求7所述的多路径放大器，其特征在于，另外包括：

输出信号键合线集合，所述输出信号键合线集合连接到所述细长的第三键合焊盘并且在所述第二方向上延伸。

9.根据在前的任一项权利要求所述的多路径放大器，其特征在于，另外包括：

分流电感电路，所述分流电感电路电耦合于所述组合节点和接地参考节点之间，其中所述分流电感电路包括与所述半导体管芯集成的分流电感。

10.一种制造多路径放大器的方法，其特征在于，所述方法包括：

将第一晶体管与半导体管芯一体形成，其中所述第一晶体管具有第一输出端，并且其中穿过所述第一晶体管的第一信号路径在从所述第一晶体管的控制端到所述第一输出端的第一方向上延伸；

将第二晶体管与所述半导体管芯一体形成，其中所述第二晶体管具有第二输出端和组合节点，其中所述第二输出端对应于所述组合节点或紧密电耦合到所述组合节点，并且其中穿过所述第二晶体管的第二信号路径在从所述第二晶体管的控制端到所述第二输出端的第二方向上延伸；以及

通过在所述第一输出端和所述第二输出端之间耦合延迟电路键合线形成集成相位延迟电路，其中所述延迟电路键合线在与所述第二方向成角度地偏移的第三方向上延伸，并且其中所述集成相位延迟电路被配置成向所述第一输出端和所述第二输出端之间承载的信号施加总体相位延迟。