[发明专利]一种实时超声刺激电信号记录芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1，在压电基底上制作叉指电极，得到声表面波芯片,并制作记录电极和电极引线；

S2，在所述S1得到的芯片上制作绝缘保护层，并对所述绝缘保护层处理形成记录电极，得到将叉指电极和记录电极结合的芯片；

S3，制备PDMS腔道；

S4，将所述S3制备的PDMS腔道与所述S2得到的芯片键合，得到实时超声刺激电信号记录芯片；

所述S1中在压电基底上制作叉指电极，得到声表面波芯片，具体为：

在所述压电基底上通过光刻将光刻胶进行图形化，再通过磁控溅射在所述图形化的压电基底上形成金属层，去除光刻胶，得到声表面波芯片；

所述S1具体为：

S11，涂胶：在所述压电基底表面旋涂厚度为1-5μm的光刻胶，并加热；

S12，曝光和显影：将制作好的胶片覆盖于所述光刻胶上进行曝光，然后采用显影液进行显影，以对光刻胶进行图形化；

S13，溅射：对所述图形化的压电基底进行磁控溅射，形成金属层，得到生长电极的压电基底；

S14，去胶：将所述S13得到的生长电极的压电基底于丙酮溶液中进行超声波清洗，剥离光刻胶，得到声表面波芯片；

所述S2具体为：

S21，溅射：在所述S1得到的声表面波芯片上通过溅射的方法制作绝缘保护层；

S22，处理：在所述绝缘保护层上旋涂光刻胶，将制作好的胶片覆盖于所述光刻胶上进行曝光，然后采用显影液进行显影，并进行刻蚀，形成记录电极，得到将叉指电极和记录电极结合的芯片。

2.根据权利要求1所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法，其特征在于，所述S11中光刻胶为正光刻胶AZ5214，所述旋涂条件为：转速3000rpm，时间30s；

所述S12中胶片为菲林片，所述显影液为mif300。

3.根据权利要求1所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法，其特征在于，所述S22中光刻胶为负光刻胶SUN1300；所述旋涂条件为：转速3000rpm，时间30s；所述胶片为菲林片。

4.根据权利要求1所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法，其特征在于，所述S3制备PDMS腔道，具体为：

制作PDMS腔道模具，在所述PDMS腔道模具中浇铸PDMS，待所述PDMS固化后剥离，得到PDMS腔道；

其中，所述PDMS腔道模具通过三维打印方法制作。

5.根据权利要求1所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法，其特征在于，所述S4中将PDMS腔道与芯片进行键合的具体过程为：

将所述PDMS腔道和所述芯片进行等离子处理，然后将两者进行键合，并于80℃烘烤20min，得到实时超声刺激电信号记录芯片；

其中，所述等离子处理的条件为：功率150W，时间70s。

6.根据权利要求1～5任一项所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法，其特征在于，所述S1中压电基底为128°YX双面抛光的铌酸锂基底、氧化锌基底或者氮化铝基底。

7.根据权利要求1～6任一项所述的制备方法制备得到的实时超声刺激电信号记录芯片。