[发明专利]一种实时超声刺激电信号记录芯片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202011440606.9 申请日: 2020-12-10
公开(公告)号: CN112741640B 公开(公告)日: 2022-11-04
发明(设计)人: 孟龙;周伟;郑海荣;牛丽丽;林争荣;彭本贤;乌玛.儒可;崔英健 申请(专利权)人: 中国科学院深圳先进技术研究院
主分类号: A61B5/388 分类号: A61B5/388;A61N7/00
代理公司: 北京市诚辉律师事务所 11430 代理人: 范盈
地址: 518055 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 实时 超声 刺激 电信号 记录 芯片 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1,在压电基底上制作叉指电极,得到声表面波芯片,并制作记录电极和电极引线;

S2,在所述S1得到的芯片上制作绝缘保护层,并对所述绝缘保护层处理形成记录电极,得到将叉指电极和记录电极结合的芯片;

S3,制备PDMS腔道;

S4,将所述S3制备的PDMS腔道与所述S2得到的芯片键合,得到实时超声刺激电信号记录芯片;

所述S1中在压电基底上制作叉指电极,得到声表面波芯片,具体为:

在所述压电基底上通过光刻将光刻胶进行图形化,再通过磁控溅射在所述图形化的压电基底上形成金属层,去除光刻胶,得到声表面波芯片;

所述S1具体为:

S11,涂胶:在所述压电基底表面旋涂厚度为1-5μm的光刻胶,并加热;

S12,曝光和显影:将制作好的胶片覆盖于所述光刻胶上进行曝光,然后采用显影液进行显影,以对光刻胶进行图形化;

S13,溅射:对所述图形化的压电基底进行磁控溅射,形成金属层,得到生长电极的压电基底;

S14,去胶:将所述S13得到的生长电极的压电基底于丙酮溶液中进行超声波清洗,剥离光刻胶,得到声表面波芯片;

所述S2具体为:

S21,溅射:在所述S1得到的声表面波芯片上通过溅射的方法制作绝缘保护层;

S22,处理:在所述绝缘保护层上旋涂光刻胶,将制作好的胶片覆盖于所述光刻胶上进行曝光,然后采用显影液进行显影,并进行刻蚀,形成记录电极,得到将叉指电极和记录电极结合的芯片。

2.根据权利要求1所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法,其特征在于,所述S11中光刻胶为正光刻胶AZ5214,所述旋涂条件为:转速3000rpm,时间30s;

所述S12中胶片为菲林片,所述显影液为mif300。

3.根据权利要求1所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法,其特征在于,所述S22中光刻胶为负光刻胶SUN1300;所述旋涂条件为:转速3000rpm,时间30s;所述胶片为菲林片。

4.根据权利要求1所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法,其特征在于,所述S3制备PDMS腔道,具体为:

制作PDMS腔道模具,在所述PDMS腔道模具中浇铸PDMS,待所述PDMS固化后剥离,得到PDMS腔道;

其中,所述PDMS腔道模具通过三维打印方法制作。

5.根据权利要求1所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法,其特征在于,所述S4中将PDMS腔道与芯片进行键合的具体过程为:

将所述PDMS腔道和所述芯片进行等离子处理,然后将两者进行键合,并于80℃烘烤20min,得到实时超声刺激电信号记录芯片;

其中,所述等离子处理的条件为:功率150W,时间70s。

6.根据权利要求1~5任一项所述的一种实时超声刺激电信号记录芯片的制备方法,其特征在于,所述S1中压电基底为128°YX双面抛光的铌酸锂基底、氧化锌基底或者氮化铝基底。

7.根据权利要求1~6任一项所述的制备方法制备得到的实时超声刺激电信号记录芯片。

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