[发明专利]一种半导体器件及其制作方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一晶圆，所述第一晶圆具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个第一器件区域以及多个第二器件区域，所述第一器件区域与所述第二器件区域间隔设置；

在所述第一晶圆的第一表面对应所述第一器件区域的位置处刻蚀出凹槽；

在所述凹槽的侧壁形成隔离层；

在所述凹槽的底壁生长外延层；

在每一所述第一器件区域以及所述第二器件区域上制备一个器件单元；

从所述第二表面对所述第一晶圆进行减薄，使得所述隔离层从所述第二表面暴露，相邻的所述器件单元被所述隔离层完全隔离。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽的侧壁形成隔离层包括：

采用热氧化或者化学气相沉积工艺在所述凹槽的侧壁及底壁上形成所述隔离层。

3.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，所述隔离层为氧化层。

4.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽的底壁生长外延层之前，去除所述凹槽底壁的所述隔离层。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述侧壁上的所述隔离层的厚度为15nm～25nm。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在所述凹槽的底壁生长外延层之后，且在每一所述第一器件区域以及所述第二器件区域上制备一个器件单元之前还包括：

对所述第一晶圆的第一表面进行平坦化处理。

7.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，对所述第一晶圆的第二表面进行减薄，使得所述隔离层从所述第二表面暴露之前包括：

提供第二晶圆；

将所述第二晶圆与所述第一晶圆的所述第一表面进行键合。

8.根据权利要求2所述的制作方法，其特征在于，在所述第一晶圆的第一表面对应所述第一器件区域的位置处设置凹槽之前还包括：

在所述第一晶圆的所述第一表面沉积保护层；

在所述凹槽的底壁生长外延层之后，制备器件单元之前还包括：

去除所述保护层。

9.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一晶圆，所述第一晶圆具有相对的第一表面和第二表面，所述第一表面包括多个第一器件区域以及多个第二器件区域，所述第一器件区域与所述第二器件区域间隔设置，所述第一器件区域与所述第二器件区域上设置有器件单元；

隔离层，位于相邻的两个所述第一器件区域与所述第二器件区域之间，所述隔离层从所述晶圆的第一表面延伸至所述第二表面，且所述隔离层将相邻的两个所述器件单元完全隔离，所述隔离层的厚度为15nm～25nm。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述隔离层为氧化层。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括与所述第一晶圆键合的第二晶圆。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件为背照式图像传感器。