[发明专利]一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法在审
| 申请号： | 202011441237.5 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112652717A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 许伟;彭俊彪;宁洪龙;姚日晖 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/05 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 殷妹 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 溶剂 蒸气 热处理 提高 有机 薄膜晶体管 器件 载流子 迁移率 方法 | ||
1.一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，包括以下步骤：
先在衬底上制备源漏电极，然后通过旋涂方法制备有源层，将有源层置于溶剂蒸汽环境中80～200℃热退火处理0.5～3小时，在处理后的有源层上依次制备绝缘层和栅极。
2.根据权利要求1所述一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述有源层材料为有机半导体材料PCDTPT。
3.根据权利要求1所述一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述溶剂为甲醇、二甲苯和氯苯中的至少一种。
4.根据权利要求1所述一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述有源层材料厚度为40～150nm。
5.根据权利要求1所述一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述有机薄膜晶体管器件的结构自下而上依次为衬底、源漏电极、有源层、绝缘层和栅极。
6.根据权利要求1所述一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述绝缘层的材料为PMMA，厚度为400～600nm。
7.根据权利要求1所述一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述源漏电极的材料为金，其厚度为30～100nnm。
8.根据权利要求1所述一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述栅极材料为铝，其厚度为60～200nm。
9.根据权利要求1所述一种溶剂蒸气热处理提高有机薄膜晶体管器件载流子迁移率的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。
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