[发明专利]提高从存储器件读取数据的速度的方法

说明书

提高从存储器件读取数据的速度的方法。存储器件包括N行存储单元和分别与其耦合的N条字线。一种从存储器件读取数据的方法包括：将第一预脉冲电压施加到第n字线，同时将第二预脉冲电压施加到与第n字线相邻的相邻字线，第二预脉冲电压超过第一预脉冲电压，并且n为从1至N的整数；将第n字线接地，同时在相邻字线上保持第二预脉冲电压；将第n字线上的电压拉向起始读取电平；以及在第n字线上的电压达到起始读取电平之前，将相邻字线上的电压驱动至第一预脉冲电压。

本申请是申请日为2019年11月28日，申请号为201980003405.1(PCT/CN2019/121510)，发明名称为“提高从存储器件读取数据的速度的方法”的中国专利申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及存储器，并且具体而言，涉及提高从存储器件读取数据的速度的方法。

背景技术

非易失性存储器已广泛用于个人计算机、电信、消费电子和其他领域中的数据储存。电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)和闪存属于使用最广泛的非易失性存储器。

发明内容

根据一个实施例，公开了一种从存储器件读取数据的方法。存储器件包括N行存储单元和分别与其耦合的N条字线。该方法包括：将第一预脉冲电压施加到第n字线，同时将第二预脉冲电压施加到与第n字线相邻的相邻字线，第二预脉冲电压超过第一预脉冲电压，并且n为从1至N的整数；将第n字线接地，同时在该相邻字线上保持第二预脉冲电压；将第n字线上的电压拉向起始读取电平；以及在第n字线上的电压达到起始读取电平之前，将该相邻字线上的电压驱动至第一预脉冲电压。

根据另一个实施例，公开了一种从存储器件读取数据的方法。存储器件包括N行存储单元和分别与其耦合的N条字线。该方法包括：将第一预脉冲电压施加到第n字线，同时将第二预脉冲电压施加到与第n字线相邻的相邻字线，第二预脉冲电压超过第一预脉冲电压，并且n为从1至N的整数；将第n字线接地，同时在该相邻字线上保持第二预脉冲电压；以及使该相邻字线浮置，同时将第n字线上的电压拉向起始读取电平。

附图说明

在阅读了以下在各个附图和图形中示出的优选实施例的详细说明之后，本发明的这些和其他目的对于本领域的普通技术人员无疑将变得显而易见。

图1是根据本发明实施例的存储器件的方框图。

图2是图1的NAND闪存电路14的示意图。

图3示出了图1的存储器件中的存储单元的阈值电压分布。

图4是在图1的存储器件中使用的读取方法的流程图。

图5是采用图4中的读取方法的图1的存储器件的选定信号的时序图。

图6是在图1的存储器件中使用的另一种读取方法的流程图。

图7是采用图6中的读取方法的图1中的存储器件的选定信号的时序图。

具体实施方式

尽管将参考二维NAND闪存器件来描述本发明的实施例，但应当理解，本发明创造性概念的实施例不限于此配置，而是还可以应用于3维NAND闪存器件。另外，在不脱离本发明的范围的情况下，本发明适用于其他非易失性存储器件，例如电可擦除可编程ROM(EEPROM)、NOR闪存、相变RAM(PRAM)、磁RAM(MRAM)、电阻RAM(RRAM)、铁电RAM(FRAM)等。