[发明专利]一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺

权利要求书

1.一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺，其特征在于：其工艺包括以下步骤：

S1、首先将原有的自动去边机台管路进行实时改造，将原有的B线排液管路的出液端进行独立出来，使B线排液管路直接与二次配管路进行连接，并且使A线排液管路与汇合管路进行连接，使汇合管路的出液端与二次配管路进行连接；

S2、然后将大小厚度合适的8寸直拉酸腐硅片放置添加到自动去边机台的吸盘上载位，机台开启供给氢氟酸、去离子水，然后通过自动去边机对8寸直拉酸腐硅片进行边缘二氧化硅腐蚀加工，当边缘二氧化硅腐蚀加工完成后，先通过自动去边机台管路将纯水导出进行实时冲洗硅片表面的杂质，冲洗后取下8寸直拉酸腐硅片，并通过自动去边机台管路将纯水导出对吸盘表面进行实时冲洗，然后重复进行下一批8寸直拉酸腐硅片的边缘二氧化硅腐蚀加工；

S3、最后通过将边缘二氧化硅腐蚀加工完成后的8寸直拉酸腐硅片放置到荧光灯下，通过荧光灯对8寸直拉酸腐硅片的表面有无腐蚀痕迹进行实时观察，并拿取未改造管路前的自动去边机加工的8寸直拉酸腐硅片放置到荧光灯下进行观察，通过两块8寸直拉酸腐硅片边缘缺陷度进行对比分析得出相应的结论。

2.一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺，其特征在于：其一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率工艺使用原料组成为：

8寸直拉酸腐硅片：CZ；

氢氟酸：分析纯，浓度49％；

去离子水。

3.根据权利要求1所述的一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺，其特征在于：所述8寸直拉酸腐硅片的加工数量为1000片，且8寸直拉酸腐硅片皆经过LTO加工。

4.根据权利要求1所述的一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺，其特征在于：所述8寸直拉酸腐硅片硅片冲洗时间为23s，所述CHUCK的冲洗时间为15s。

5.根据权利要求1所述的一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺，其特征在于：所述HF喷淋的时间为23s，且DIW供应的时间为60s。

6.根据权利要求1所述的一种降低8英寸抛光片去边吸盘印缺陷率的工艺，其特征在于：所述8寸直拉酸腐硅片硅片对应尺寸为8inch，且CHUCK吹干时间为5s。