[发明专利]非挥发性存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种非挥发性存储器元件的制造方法，包括：

在基底内形成定义出主动区域的元件隔离结构；

在所述主动区域内的所述基底上形成浮动栅极；

在所述基底上形成内层介电(inner layer dielectric,ILD)层，覆盖所述浮动栅极与所述元件隔离结构；

在所述内层介电层内形成浮动栅极接触窗，接触所述浮动栅极；以及

在所述内层介电层上形成内连线结构，其中所述内连线结构包括交替堆叠的多层金属层与多层金属层间介电(IMD)层以及连接上下金属层的多个介层窗，其中

所述制造方法的特征在于：

在形成所述内层介电层之后，在所述元件隔离结构上方的所述内层介电层与所述金属层间介电层中的至少一层内，同时形成第一梳型接触窗作为浮动栅极延伸部以及第二梳型接触窗作为控制栅极；以及

在形成所述内连线结构期间，同时形成电连接所述浮动栅极延伸部至所述浮动栅极接触窗的结构。

2.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件的制造方法，其中所述第一梳型接触窗以及所述第二梳型接触窗是与所述浮动栅极接触窗同时形成。

3.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件的制造方法，其中所述第一梳型接触窗以及所述第二梳型接触窗是与所述多个介层窗中的至少一个同时形成。

4.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件的制造方法，还包括：

在所述多层金属层间介电层中的至少一层内形成第一梳型金属结构与第二梳型金属结构；以及

在形成所述内连线结构期间，形成电连接所述浮动栅极延伸部与所述第一梳型金属结构，并形成电连接所述控制栅极与所述第二梳型金属结构。

5.如权利要求1所述的非挥发性存储器元件的制造方法，其中形成所述浮动栅极的步骤还包括：在所述主动区域内形成与所述浮动栅极平行配置的选择栅极，所述选择栅极为一N型或P型金属氧化物半导体晶体管，用以在执行读取、抹除或编程时，选择存储器阵列中的指定存储器地址。

6.一种非挥发性存储器元件，其特征在于，包括：

基底，具有定义出主动区域的元件隔离结构；

浮动栅极，形成于所述主动区域内的所述基底上；

内层介电层，形成于所述基底上并覆盖所述浮动栅极与所述元件隔离结构；

浮动栅极接触窗，形成于所述内层介电层内并接触所述浮动栅极；

内连线结构，形成于所述内层介电层上，其中所述内连线结构包括交替堆叠的多层金属层与多层金属层间介电(IMD)层以及连接上下金属层的多个介层窗；

第一梳型接触窗作为浮动栅极延伸部，形成于所述元件隔离结构上方的所述内层介电层与所述金属层间介电层中的至少一层内，且所述浮动栅极延伸部通过所述内连线结构连接至所述浮动栅极接触窗；以及

第二梳型接触窗作为控制栅极，与所述第一梳型接触窗交错形成于所述元件隔离结构上方的所述至少一层内。

7.如权利要求6所述的非挥发性存储器元件，其中所述浮动栅极接触窗包括单层结构或多层结构。

8.如权利要求6所述的非挥发性存储器元件，还包括：

第一梳型金属结构，形成于所述多层金属层间介电层中的至少一层内，且第一梳型金属结构通过所述内连线结构连接至所述第一梳型接触窗；以及

第二梳型金属结构，与所述第一梳型金属结构交错形成于所述多层金属层间介电层中的所述至少一层内。

9.如权利要求8所述的非挥发性存储器元件，其中所述第二梳型金属结构与所述第二梳型接触窗电连接。

10.如权利要求8所述的非挥发性存储器元件，其中所述第一梳型金属结构形成于所述元件隔离结构上方。

11.如权利要求6所述的非挥发性存储器元件，其中所述第一梳型接触窗的高度大于所述浮动栅极的高度。

12.如权利要求6所述的非挥发性存储器元件，还包括：选择栅极，形成于所述主动区域内并与所述浮动栅极平行配置。