[发明专利]电子装置及制造电子装置的方法在审
申请号: | 202011442068.7 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN113035814A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 郑季洋;杨宋桓;李在河 | 申请(专利权)人: | 安靠科技新加坡控股私人有限公司 |
主分类号: | H01L23/488 | 分类号: | H01L23/488;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/56;G06K9/00 |
代理公司: | 北京寰华知识产权代理有限公司 11408 | 代理人: | 何尤玉;郭仁建 |
地址: | 新加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 制造 方法 | ||
1.一种电子装置,其特征在于,包括:
电子组件,所述电子组件包括传感器和电互连件;
衬底,所述衬底包括导电材料和半透明模制化合物,其中所述导电材料耦合到所述半透明模制化合物,并且其中所述电子组件的所述电互连件耦合到所述衬底的所述导电材料;以及
半透明底部填料,所述半透明底部填料接触所述电互连件并且位于所述半透明模制化合物与所述传感器之间。
2.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述半透明底部填料围绕所述电互连件。
3.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述电子组件包括半导体管芯,并且其中所述电互连件包括晶片凸点。
4.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,进一步包括焊球,所述焊球耦合到所述衬底的所述导电材料。
5.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述电子组件包括顶表面、底表面以及位于所述顶表面与所述底表面之间的侧表面,并且其中所述半透明底部填料接触所述电子组件的所述侧表面和所述导电材料。
6.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述半透明底部填料接触所述传感器和所述半透明模制化合物。
7.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述半透明底部填料包括模制化合物,所述电互连件包括焊料,并且所述导电材料包括铜,并且其中所述导电材料接触所述半透明模制化合物。
8.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述传感器包括指纹传感器。
9.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述半透明模制化合物的顶表面与所述导电材料的顶表面基本上共面。
10.根据权利要求1所述的电子装置,其特征在于,其中所述衬底包括空腔,并且所述电子组件位于所述空腔内。
11.一种用于制造电子装置的方法,其特征在于,所述方法包括:
通过去除导电材料的第一部分来形成第一空腔;
在所述第一空腔中形成第一半透明材料;
通过去除所述导电材料的第二部分来形成第二空腔;
将第一电子组件放置在所述第二空腔中,其中所述第一电子组件包括传感器和电互连件;以及
在所述第二空腔中形成第二半透明材料,所述第二半透明材料接触所述第一电子组件的所述电互连件并且位于所述第一电子组件的所述传感器与所述第一半透明材料之间。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,进一步包括:
通过去除所述导电材料的第三部分来形成第三空腔;
在所述第三空腔中形成第三半透明材料;
通过去除所述导电材料的第四部分来形成第四空腔;
将第二电子组件放置在所述第四空腔中,其中所述第二电子组件包括传感器和电互连件;
在所述第四空腔中形成第四半透明材料,所述第四半透明材料接触所述第二电子组件的所述电互连件并且位于所述第二电子组件的所述传感器与所述第三半透明材料之间。
13.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,其中所述第一半透明材料的所述形成与所述第三半透明材料的所述形成同时执行,并且其中所述第二空腔的所述形成与所述第四空腔的所述形成同时执行。
14.根据权利要求12所述的方法,其特征在于,进一步包括:
形成耦合到所述导电材料的焊球;以及
在所述形成所述焊球之后去除所述导电材料的第五部分,其中所述去除所述第五部分包括使用锯。
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