[发明专利]一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法

权利要求书

1.一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，将PEDOT源漏电极进行酸处理，包括以下步骤：

采用喷墨打印技术制备PEDOT源漏电极，将PEDOT源漏电极加热处理，冷却后在PEDOT源漏电极表面加酸并静置一段时间，洗涤，干燥后热退火处理；

所述酸为硫酸、盐酸和硝酸中的至少一种。

2.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述酸为质量浓度为50～98％的浓硫酸酸、浓盐酸和浓硝酸中的至少一种。

3.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述静置的时间为5～15min。

4.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述加热处理的温度为80～200℃，时间为5～15min。

5.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述热退火处理的温度为80～200℃，时间为5～15min。

6.根据权利要求1所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述全有机薄膜晶体管器件的结构由下往上依次为：衬底、聚乙烯醇界面修饰层、PEDOT源漏电极、PDQT有源层、聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层、聚乙烯醇界面修饰层和PEDOT栅极。

7.根据权利要求6所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述聚乙烯醇界面修饰层的厚度为40～100nm，PDQT有源层的厚度为40～100nm，聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层的厚度为400～600nm，聚乙烯醇界面修饰层的厚度≤10nm；所述全有机薄膜晶体管器件的沟道长度为10μm，宽度为460μm。

8.根据权利要求6所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述PEDOT源漏电极和PEDOT栅极的材料均为导电聚合物PEDOT:PSS500。

9.根据权利要求6所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述聚乙烯醇界面修饰层、PDQT有源层、聚甲基丙烯酸甲酯绝缘层和聚乙烯醇界面修饰层均采用溶液旋涂的方法进行制备；所述栅极在大气环境下通过喷墨打印工艺制备。

10.根据权利要求6所述一种提高全有机薄膜晶体管器件迁移率的方法，其特征在于，所述衬底为透明玻璃。