[发明专利]一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，其结构自下而上依次为衬底、十八烷基三氯硅烷修饰的绝缘层、有源层和源漏电极；

或自下而上依次为衬底、铝层、十八烷基三氯硅烷修饰的绝缘层、有源层和源漏电极。

2.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述十八烷基三氯硅烷修饰的绝缘层指在绝缘层表面进行十八烷基三氯硅烷修饰，具体方法如下：在绝缘层上滴定十八烷基三氯硅烷，使其铺满绝缘层表面，静置1～2min，以3000～5000rmp的转速旋涂20～40秒。

3.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述有源层均为半导体聚合物材料PDQT，其厚度为40～120nm。

4.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述十八烷基三氯硅烷修饰的绝缘层中的绝缘层材料均为SiO₂、Al₂O₃、HfO₂、TiO₂、ZrO₂、聚酰亚胺、聚乙烯苯酚、聚苯乙烯、聚乙烯醇和苯并环丁烯中的至少一种；未经OTS修饰的绝缘层的厚度为200～300nm。

5.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述铝层的厚度为200～300nm。

6.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述源漏电极材料为金，其厚度为50～100nm。

7.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，所述衬底均为重掺杂P型硅片和玻璃片中的至少一种。

8.根据权利要求1所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管，其特征在于，自下而上依次为重掺杂P型硅片、十八烷基三氯硅烷修饰的SiO₂层、PDQT层和金电极；或自下而上依次为玻璃、铝、十八烷基三氯硅烷修饰的Al₂O₃层、PDQT层和金电极。

9.权利要求1～8任一项所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

在衬底表面通过磁控溅射工艺制备铝层，然后在铝层表面通过阳极氧化工艺制备绝缘层，或者直接在衬底表面通过热氧化工艺制备绝缘层；采用十八烷基三氯硅烷对绝缘层进行表面修饰，在修饰后的绝缘层表面制备有源层，再采用真空蒸镀工艺制备源电极和漏电极。

10.权利要求1～8任一项所述一种底栅顶接触结构的有机薄膜晶体管的应用。