[发明专利]基于钛掺杂的氧化铌选通管及其制备方法有效
| 申请号： | 202011442707.X | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112397648B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王浩;陈大磊;万厚钊;桃李;张军;汪汉斌;汪宝元;沈谅平;马国坤 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 掺杂 氧化 铌选通管 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于钛掺杂的氧化铌选通管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供底电极；
在所述底电极表面制备转换层；
在所述转换层远离底电极一侧的表面制备顶电极；
其中，所述转换层的材料为钛掺杂的氧化铌；
在所述底电极表面制备转换层具体包括：
以五氧化二铌、二氧化钛或金属钛为靶材，利用磁控溅射法在所述底电极表面沉积得到钛掺杂的氧化铌；
磁控溅射法控制的工艺条件为：压力为2～6Torr，温度为280～320K，五氧化二铌靶材的溅射功率为50～120W，二氧化钛靶材的溅射功率为20～50W或金属钛靶材的溅射功率为15～21W，五氧化二铌靶材、二氧化钛或金属钛靶材同时溅射。
2.如权利要求1所述的基于钛掺杂的氧化铌选通管的制备方法，其特征在于，所述底电极的材料为Ti、Pt、W或TiN中的一种；所述顶电极的材料为Pt或Ti中的一种。
3.如权利要求1所述的基于钛掺杂的氧化铌选通管的制备方法，其特征在于，所述底电极的厚度为150～180nm，所述转换层的厚度为35～230nm，所述顶电极的厚度为85～200nm。
4.如权利要求1所述的基于钛掺杂的氧化铌选通管的制备方法，其特征在于，所述底电极与转换层形状相同，所述底电极为矩形，所述底电极边长为2μm～2cm；所述顶电极形状为矩形或圆形，所述顶电极边长或直径为50～300μm。
5.如权利要求1所述的基于钛掺杂的氧化铌选通管的制备方法，其特征在于，所述顶电极的材料为Pt或Ti，以Pt或Ti为靶材利用磁控溅射法在所述转换层远离底电极一侧的表面制备顶电极。
6.如权利要求5所述的基于钛掺杂的氧化铌选通管的制备方法，其特征在于，制备顶电极控制的工艺条件为：压力为4Torr，温度为300K，溅射功率为40～100W。
7.如权利要求1所述的基于钛掺杂的氧化铌选通管的制备方法，其特征在于，五氧化二铌靶材、二氧化钛靶材采用射频磁控溅射，金属钛靶材采用直流溅射。
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