[发明专利]一种用于权连接光神经网络的随机光栅设计方法在审
申请号: | 202011442745.5 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN112630962A | 公开(公告)日: | 2021-04-09 |
发明(设计)人: | 祝连庆;于明鑫;辛璟焘;鹿利单;庄炜;陈恺;何巍 | 申请(专利权)人: | 北京信息科技大学 |
主分类号: | G02B27/00 | 分类号: | G02B27/00;G02B5/18;G06N3/067 |
代理公司: | 北京律恒立业知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11416 | 代理人: | 庞立岩;顾珊 |
地址: | 100085 北京市海淀区清*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 连接 神经网络 随机 光栅 设计 方法 | ||
1.一种用于权连接光神经网络的随机光栅设计方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
步骤a、制备衍射光栅;
步骤a1、计算衍射光栅的相位梯度;步骤a2、掩膜设计:采用半导体锗材料作为基底,对所述基底进行两次次刻蚀形成掩膜版;步骤a3、利用CMOS工艺制备衍射光栅;
步骤b、通过制备的所述衍射光栅进入全连接光神经网络进行识别。
2.根据权利要求1所述的设计方法,其特征在于,所述衍射光栅的相位梯度由下列公式计算:
其中,式(1)表示为光学模式;式(2)表示为输出函数公式。
3.根据权利要求1所述的设计方法,其特征在于,利用CMOS工艺制备衍射光栅包括以下步骤:步骤①、对锗片上表面进行涂胶;步骤②、将所述掩膜版放置在涂胶后的所述锗片上方进行曝光;对曝光后的所述锗片依次经过显影和ICP刻蚀;步骤③、经过刻蚀后的所述锗片进行去胶,形成衍射光栅。
4.根据权利要求1所述的设计方法,其特征在于,所述基底折射率为4.003;单片神经元数目为200X200,单神经元尺寸5μm X 5μm。
5.根据权利要求1所述的设计方法,其特征在于,采用python(3.6.0)和google公司的TensorFlow框架(1.1.0)计算所述衍射光栅的相位梯度。
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