[发明专利]一种基于MEMS技术的无磁电加热器的加工方法在审
| 申请号： | 202011443269.9 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112694061A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 秦杰;谢耀;万双爱 | 申请（专利权）人： | 北京自动化控制设备研究所 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100074 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 技术 磁电 加热器 加工 方法 | ||
1.一种基于MEMS技术的无磁电加热器的加工方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)在单晶硅片或陶瓷、玻璃基底表面加工电阻层：在单晶硅片或陶瓷、玻璃基底表面分别通过磁控溅射不同金属形成粘附层与电阻层；所述粘附层由具有粘附功能的金属组成，将基底表面与电阻层粘附在一起；
(2)光刻、显影：在溅射完电阻层的基底表面进行图形化，采用正胶工艺旋涂正性光刻胶并进行前烘工艺，烘完后的基底在光刻机中进行曝光，最后在显影液中进行显影图形化；
(3)离子铣：图形化后的基底放入离子刻蚀机中进行离子铣工艺，利用干法离子刻蚀工艺去掉多余金属层；
(4)旋涂光刻型聚酰亚胺薄膜：在图形化后的金属表面旋涂光刻型聚酰亚胺聚合物并进行光刻、显影、烘胶，在金属表面形成一层绝缘层；
(5)第二层金属加工：在上述已经加工完的基底表面的背面，重复所述第1-3步工艺进行背面金属层的制备；
(6)表面绝缘层加工：重复所述第4步工艺进行背面金属表面的绝缘层制备。
2.根据权利要求1所述的一种基于MEMS技术的无磁电加热器的加工方法，其特征在于，所述粘附层由金属铬或钛组成，厚度为30-80nm。
3.根据权利要求1所述的一种基于MEMS技术的无磁电加热器的加工方法，其特征在于，所述电阻层由金、镍或铂组成，厚度为100-3000nm。
4.根据权利要求1所述的一种基于MEMS技术的无磁电加热器的加工方法，其特征在于，所述正性光刻胶为厚度为5-10微米、线宽为20-300um。
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