[发明专利]一种蚀刻组合物及其应用

权利要求书

1.一种蚀刻组合物，其特征在于，

包括：磷酸、硅烷化合物、硅基磷酸酯类化合物和去离子水。

2.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

所述硅烷化合物的通式为：

其中，R₁至R₄分别选自氢、羟基、(C₁-C₁₀)烷基、(C₁-C₁₀)烷氧基、(C₁-C₁₀)胺基烷基、(C₁-C₁₀)胺基烷氧基、(C₁-C₁₀)羰基烷基、(C₁-C₁₀)异氰酸烷基、(C₁-C₁₀)脲基烷基、(C₁-C₁₀)二硫代碳酸基烷基中的一种或多种；

R₁至R₄中的至少一个为(C₁-C₁₀)异氰酸烷基、(C₁-C₁₀)脲基烷基、(C₁-C₁₀)二硫代碳酸基烷基中的一种。

3.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

所述硅烷化合物的质量百分比浓度为0.1～1.0％。

4.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

所述硅基磷酸酯类化合物的通式为：

其中，i)R₅至R₇分别选自氢、羟基、(C₁-C₁₀)烷基、(C₁-C₁₀)烷氧基中的一种或多种；

ii)R₈选自(C₁-C₁₀)烷基、(C₁-C₁₀)烷氧基中的一种；

iii)R₉选自(C₁-C₁₀)烷基、(C₁-C₁₀)烷氧基中的一种；

iv)R₁₀选自羟基、铵氧基、苄氧基中的一种。

5.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

所述硅基磷酸酯类化合物的质量百分比浓度为0.01～5.0％。

6.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

所述磷酸的质量百分比浓度为80～99.8％。

7.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

所述去离子水的质量百分比浓度为0.01～19.89％。

8.如权利要求1所述的蚀刻组合物，其特征在于，

所述蚀刻组合物还包括选自表面活性剂、分散剂以及腐蚀抑制剂中的一种或多种添加剂；

其中，所述表面活性剂选自阳离子表面活性剂、阴离子表面活性剂和非离子型表面活性剂中的一种或多种。

9.如权利要求1-8任一项所述的蚀刻组合物在湿法蚀刻氮化硅中的应用。