[发明专利]氧化镓晶体生长装置及生长方法在审
| 申请号： | 202011443881.6 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112680780A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;刘运连;薛帅;唐俊杰 | 申请（专利权）人： | 广东先导先进材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511517 广东省清*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化 晶体生长 装置 生长 方法 | ||
1.一种氧化镓晶体生长装置，其特征在于，所述氧化镓晶体生长装置包括坩埚(1)、坩埚托(2)、炉体(3)、温控装置(4)以及盖板(5)；
所述坩埚(1)具有第一端(1a)和第二端(1b)，所述坩埚(1)的第一端(1a)设置有用于盛装籽晶的籽晶腔(11)，且所述籽晶腔(11)封闭，所述坩埚(1)的第二端(1b)通过盖板(5)密封，所述盖板(5)上开设有溢气孔(51)；
所述炉体(3)设置有炉腔(31)，所述坩埚(1)位于所述炉腔(31)内，且所述坩埚(1)支撑于所述坩埚托(2)上；所述炉腔(31)由下至上依次设置有第一温区(311)、第二温区(312)和第三温区(313)，所述温控装置(4)设置于所述第一温区(311)、所述第二温区(312)和所述第三温区(313)，用于加热所述第一温区(311)、所述第二温区(312)和所述第三温区(313)并控制所述第一温区(311)、所述第二温区(312)和所述第三温区(313)的温度；
所述坩埚(1)的所述籽晶腔(11)设置于所述第一温区(311)，所述坩埚(1)的第二端(1b)设置于所述第三温区(313)。
2.根据权利要求1所述的氧化镓晶体生长装置，其特征在于，坩埚(1)包括肩部(12)和等径部(13)，所述肩部(12)连接于所述等径部(13)和所述籽晶腔(11)之间；沿炉腔(31)的上下方向(Z)，所述籽晶腔(11)和所述肩部(12)的连接位置位于所述第一温区(311)的高度的1/2位置处。
3.根据权利要求2所述的氧化镓晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚(1)的所述肩部(12)的截面为圆锥形，且圆锥角为60°-120°。
4.根据权利要求1所述的氧化镓晶体生长装置，其特征在于，所述盖板(5)为铱金盖板。
5.根据权利要求1所述的氧化镓晶体生长装置，其特征在于，所述温控装置(4)设置为多个，多个所述温控装置(4)分别设置于所述第一温区(311)、所述第二温区(312)和所述第三温区(313)以分别独立控制所述第一温区(311)、所述第二温区(312)和所述第三温区(313)的温度，所述温控装置(4)包括加热器(41)和控温热电偶(42)。
6.根据权利要求1所述的氧化镓晶体生长装置，其特征在于，所述坩埚(1)与所述坩埚托(2)形状配合地支撑于所述坩埚托(2)上。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东先导先进材料股份有限公司，未经广东先导先进材料股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011443881.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
