[发明专利]显示面板

说明书

本申请提供一种显示面板，显示面板包括：基板；第一多晶硅晶体管，第一多晶硅晶体管包括第一多晶硅有源层，第一多晶硅有源层包括第一多晶硅沟道、第一源极以及第一漏极，第一源极和第一漏极位于第一多晶硅沟道的相对两侧；第一金属氧化物晶体管，第一金属氧化物晶体管包括第一金属氧化物有源层，第一金属氧化物有源层包括第一金属氧化物沟道、第二源极以及第二漏极，第二源极和第二漏极位于第一金属氧化物沟道的相对两侧，第一金属氧化物有源层位于第一多晶硅有源层的上方；以及绝缘层，设置于第一金属氧化物有源层和第一多晶硅有源层之间；其中，第二源极和第二漏极中的一者通过贯穿绝缘层的第一过孔与第一源极和第一漏极中的一者电性连接。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板。

背景技术

如图1所示，其为传统低温多晶硅氧化物(Low-Temperature PolycrystallineOxide)显示面板的截面示意图。显示面板200包括低温多晶硅晶体管M1以及金属氧化物晶体管M2。低温多晶硅晶体管M1包括低温多晶硅有源层，低温多晶硅有源层包括低温多晶硅沟道M1a、第一源极M1b以及第一漏极M1c，第一源极M1b以及第一漏极M1c位于低温多晶硅沟道M1a的相对两侧。金属氧化物晶体管M2包括金属氧化物有源层，金属氧化物有源层包括金属氧化物沟道M2a、第二源极M2b以及第二漏极M2c，第二源极M2b以及第二漏极M2c位于金属氧化物沟道M2a的相对两侧。桥接引线1的一端通过第一过孔200a与低温多晶硅有源层电性连接，桥接引线1的另一端通过第二过孔200b与金属氧化物有源层电性连接。其中，在形成桥接引线1之前，需要同时形成第一过孔200a以及第二过孔200b，在制程中为改善低温多晶硅有源层与桥接引线1之间的搭接阻抗，需要用氢氟酸清洗去除多晶硅晶体有源层上的原生氧化层结构，然而，金属氧化物有源层耐氢氟酸清洗的能力较弱，这个过程会影响器件的特性。

因此，需要提出一种技术方案以解决采用桥接引线桥接金属氧化物有源层和低温多晶硅有源层且清洗低温多晶硅有源层导致金属氧化物有源层的性能受影响的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种显示面板，避免影响显示面板的金属氧化物有源层的性能。

一种显示面板，所述显示面板包括：

基板；

第一多晶硅晶体管，所述第一多晶硅晶体管包括第一多晶硅有源层，所述第一多晶硅有源层包括第一多晶硅沟道、第一源极以及第一漏极，所述第一源极和所述第一漏极位于所述第一多晶硅沟道的相对两侧；

第一金属氧化物晶体管，所述第一金属氧化物晶体管包括第一金属氧化物有源层，所述第一金属氧化物有源层包括第一金属氧化物沟道、第二源极以及第二漏极，所述第二源极和所述第二漏极位于所述第一金属氧化物沟道的相对两侧，所述第一金属氧化物有源层位于所述第一多晶硅有源层的上方；以及

绝缘层，设置于所述第一金属氧化物有源层和所述第一多晶硅有源层之间；

其中，所述第二源极和所述第二漏极中的一者通过贯穿所述绝缘层的第一过孔与所述第一源极和所述第一漏极中的一者电性连接。

有益效果：本申请提供一种显示面板，第一金属氧化物有源层的第二源极和第二漏极中的一者通过贯穿绝缘层的第一过孔与第一多晶硅晶体管的第一源极和第一漏极中的一者电性连接，使得在形成金属氧化物有源层之前可以对多晶硅有源层进行清洗而不会影响金属氧化物有源层的性能，避免采用桥接引线桥接第一金属氧化物有源层和第一多晶硅有源层时需要同时形成用于桥接的过孔导致清洗多晶硅有源层时对金属氧化物有源层造成损坏。此外，第一金属氧化物有源层的第二源极和第二漏极均是透明的，可以减少搭接用金属走线，有利于提高开口率，从而提高显示面板的分辨率。

附图说明

图1为传统低温多晶硅氧化物显示面板的截面示意图；

图2为本申请实施例显示面板的像素驱动电路的示意图；