[发明专利]一种高线性度低噪声功率跨导放大电路

权利要求书

1.一种高线性度低噪声功率跨导放大电路，其特征在于包括：匹配网络模块、双放大模块、以及反馈模块；

所述匹配网络模块用于进行宽带匹配；

所述双放大模块包括设置在强反型区域的主互补共源极放大器以及设置在弱反型区域的辅助互补共源极放大器，用于对输入的射频信号进行放大；

所述反馈模块用于对经所述双放大模块放大后的射频信号进行反馈。

2.根据权利要求1所述的高线性度低噪声功率跨导放大电路，其特征在于，

所述匹配网络模块包括片外电容、寄生电容以及寄生电感。

3.根据权利要求1所述的高线性度低噪声功率跨导放大电路，其特征在于，

所述反馈模块包括反馈电阻以及互补共源极跟随器。

4.根据权利要求1所述的高线性度低噪声功率跨导放大器，其特征在于，所述主互补共源极放大器包括第一MOS管以及第二MOS管，所述辅助互补共源极放大器包括第三MOS管以及第四MOS管；所述第一MOS管与所述第三MOS管是相同类型的MOS管，所述第二MOS管、第四MOS管为与所述第一MOS管互补类型的MOS管。

5.根据权利要求4所述的高线性度低噪声功率跨导放大器，其特征在于，

所述第一MOS管为PMOS管，所述第一MOS管的源极与外部电源连接，所述第一MOS管的栅极通过第一偏置电阻与第一直流偏置电压端，以及通过第一隔直电容及片外电感与信号输入端连接，所述第一MOS管的漏极与反馈模块、所述第二MOS管的漏极以及输出端连接；

所述第二MOS管为NMOS管，所述第二MOS管的源极接地，所述第二MOS管的栅极通过第二偏置电阻与第二直流偏置电压端，以及通过第二隔直电容及片外电感与信号输入端连接，所述第二MOS管的漏极与反馈模块、所述第一MOS管的漏极以及输出端连接；

所述第三MOS管为PMOS管，所述第三MOS管的源极与外部电源连接，所述第三MOS管的栅极通过第三偏置电阻与第三直流偏置电压端，以及通过第三隔直电容及片外电感与信号输入端连接，所述第三MOS管的漏极与反馈模块、所述第四MOS管的漏极以及输出端连接；

所述第四MOS管为NMOS管，所述第四MOS管的源极接地，所述第四MOS管的栅极通过第三偏置电阻与第四直流偏置电压端，以及通过第四隔直电容及片外电感与信号输入端连接，所述第四MOS管的漏极与反馈模块、所述第三MOS管的漏极以及输出端连接。

6.根据权利要求2所述的高线性度低噪声功率跨导放大器，其特征在于，

所述寄生电容包括低噪声功率跨导放大器的寄生电容、静电释放的保护二极管焊盘的寄生电容，所述寄生电感包括键合线寄生电感。

7.根据权利要求3所述的高线性度低噪声功率跨导放大器，其特征在于，

所述互补共源极跟随器包括第五MOS管以及第五MOS管，所述第五MOS管与所述第五MOS管为互补类型的MOS管。

8.根据权利要求7所述的高线性度低噪声功率跨导放大器，其特征在于，

所述第五MOS管为PMOS管，所述第五MOS管的源极通过反馈电阻及片外电感与信号输入端连接，所述第五MOS管的栅极通过第五偏置电阻与第五直流偏置电压端以及通过第五隔直电容与第一MOS管的漏极、第二MOS管的漏极、第三MOS管的漏极以及第四MOS管的漏极，并且通过第五隔直电容及第六隔直电容与第五MOS管的栅极连接，所述第五MOS管的漏极与外部电源连接；

所述第六MOS管为NMOS管，所述第六MOS管的源极通过反馈电阻及片外电感与信号输入端连接，所述第六MOS管的栅极通过第六偏置电阻与第六直流偏置电压端以及通过第六隔直电容与第一MOS管的漏极、第二MOS管的漏极、第三MOS管的漏极、第四MOS管的漏极，并且通过第六隔直电容及第五隔直电容与第五MOS管的栅极连接，所述第六MOS管的漏极接地。