[发明专利]用于硅晶体生长的硅原料及其制备方法、以及应用有效
| 申请号： | 202011444417.9 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112609241B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 张华利;吴义华 | 申请（专利权）人： | 江苏协鑫硅材料科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B11/00;C30B28/06;C01B33/02 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 孔令聪 |
| 地址： | 221004 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 晶体生长 原料 及其 制备 方法 以及 应用 | ||
1.一种用于硅晶体生长的硅原料，其特征在于，由包括按照质量份数的如下组分制备：
硅粉 70份~90份；以及
硅碎片 10份~30份；
所述硅碎片包括按照颗粒尺寸和质量份数的如下组分：
第一硅碎片 [1 ~20）mm 0份~5份；
第二硅碎片 [20 ~40）mm 10份~30份；
第三硅碎片 [40 ~60）mm 30份~40份；
第四硅碎片 [60 ~80）mm 15份~30份；以及
第五硅碎片 [80 ~100] mm 5份~10份；
所述硅粉的颗粒尺寸为10μm~500μm；
所述硅碎片的颗粒尺寸为1mm~100mm；及，
采用等静压设备将混合之后的所述硅粉与所述硅碎片压制成块状料。
2.一种用于硅晶体生长的硅原料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供硅粉和硅碎片，所述硅粉的颗粒尺寸为10μm~500μm，所述硅碎片的颗粒尺寸为1mm~100mm，所述硅碎片包括按照颗粒尺寸和质量份数的如下组分：
第一硅碎片 [1 ~20）mm 0份~5份；
第二硅碎片 [20 ~40）mm 10份~30份；
第三硅碎片 [40 ~60）mm 30份~40份；
第四硅碎片 [60 ~80）mm 15份~30份；以及
第五硅碎片 [80 ~100] mm 5份~10份；以及
按照质量份数，将70份~90份的所述硅粉与10份~30份的所述硅碎片混合，采用等静压设备将混合之后的所述硅粉与所述硅碎片压制成块状料，得到用于硅晶体生长的硅原料。
3.一种权利要求1所述的用于硅晶体生长的硅原料在铸造多晶硅或者铸造单晶硅中的应用。
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