[发明专利]晶圆键合设备

权利要求书

1.一种晶圆键合设备，其特征在于，所述晶圆键合设备包括：

吸附装置，设置于第一晶圆及第二晶圆下方，所述第二晶圆位于所述第一晶圆上方；

吹气顶针，设置于所述第二晶圆上方，用于在不接触所述第二晶圆的位置朝所述第二晶圆的中部区域进行吹气，以使所述第一晶圆与第二晶圆在吹气产生的压力下进行键合。

2.根据权利要求1所述的晶圆键合设备，其特征在于：所述吹气顶针包括多个吹气孔，且各吹气孔产生的压力均独立可调，通过第一晶圆与第二晶圆的对位数据调整各吹气孔产生的压力，以减少第二晶圆的中部区域的形变和延展。

3.根据权利要求2所述的晶圆键合设备，其特征在于：还包括一对准量测模块，用于获取第一晶圆与第二晶圆的对位数据，所述对位数据包括晶圆键合后受力区域形变量和延展量数据，并将该对位数据进行存储及反馈至所述晶圆键合设备。

4.根据权利要求1所述的晶圆键合设备，其特征在于：所述吹气顶针配置有垂直运动装置，且在吹气顶针超所述第二晶圆的中部区域进行吹气时，所述吹气顶针与所述第二晶圆之间的间距为2～3毫米。

5.根据权利要求1所述的晶圆键合设备，其特征在于：所述晶圆键合设备还包括：

光敏测距器件，设置于第一晶圆及第二晶圆上方，用于通过光学信号的接收和反馈，确定第一晶圆与所述光敏测距器件的距离分布，以及确定第二晶圆与所述光敏测距器件的距离分布，从而获取所述第一晶圆的第一翘曲分布值及第二晶圆第二翘曲分布值；

吸附装置，设置于第一晶圆下方，所述吸附装置包括多个吸附单元，以定量补偿第一晶圆的形变量所述吸附装置根据第一晶圆需要补偿的吸附值，自所述第一晶圆底部向所述第一晶圆给予吸附力，以定量补偿第一晶圆的形变量，使所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合面保持相对平行。

6.根据权利要求5所述的晶圆键合设备，其特征在于：

所述光敏测距器件还用于依据第一翘曲分布值及第二晶圆第二翘曲分布值，获取第一晶圆各个区域所需要改变的形变量；

所述吸附装置基于所述需要改变的形变量，控制相应区域的吸附力，以定量补偿第一晶圆的形变量，使所述第一晶圆与所述第二晶圆的键合面保持相对平行。

7.根据权利要求6所述的晶圆键合设备，其特征在于：所述吸附力由以下公式获取：

F＝k△x+B；

其中，F为吸附力，k为第二晶圆的弹性常数，B为固定常数。

8.根据权利要求5所述的晶圆键合设备，其特征在于：所述吸附装置包括真空吸盘，所述真空吸盘表面具有多个吸附孔，通过设置所述真空吸盘的真空度以及吸附孔的孔径以调整所述吸附孔的吸附力，其中，所述吸附力的大小与所述真空度呈正相关，与所述吸附孔的孔径呈负相关。

9.根据权利要求5所述的晶圆键合设备，其特征在于：所述真空吸盘包括多个真空腔体，各真空腔体对应设置有一个或多个吸附孔，且各真空腔体内的真空度独立可调，以控制相应区域的吸附力。

10.根据权利要求8或9所述的晶圆键合设备，其特征在于：所述吸附孔的形状包括圆孔、弧形孔及环形孔中的一种。