[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有沟槽填充结构围成的有源区；

LOCOS和位于所述LOCOS一侧的至少一个沟槽，形成于所述有源区的衬底中，所述LOCOS的顶面高于所述衬底的顶面，所述沟槽的底壁高于所述沟槽填充结构的底面，所有的所述沟槽在垂直于所述LOCOS的所述一侧的边缘方向上的长度大于在平行于所述LOCOS的所述一侧的边缘方向上的长度；

栅介质层，形成于所述沟槽的内壁以及所述沟槽外围的衬底上；以及，

栅极层，形成于所述栅介质层上以及靠近所述沟槽的部分所述LOCOS上，所述沟槽的背向所述LOCOS的一端超出所述栅极层的背向所述LOCOS的一端。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的靠近所述LOCOS的一侧暴露出所述LOCOS。

3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括至少两个沟槽，所有的所述沟槽沿着平行于所述LOCOS的所述一侧的边缘方向依次排列。

4.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述LOCOS的两端与所述沟槽填充结构的侧壁顶部接触；所述栅极层的两端从所述栅介质层上以及靠近所述沟槽的部分所述LOCOS上延伸至所述沟槽填充结构上。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括形成于所述有源区的衬底中的体区和漂移区，所述体区与所述漂移区的交界处位于所述栅极层的下方，所述漂移区包围所述LOCOS，所述沟槽从所述漂移区延伸至所述体区。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括源极区和漏极区，所述源极区位于所述栅极层的远离所述LOCOS的体区中，所述漏极区位于所述LOCOS的背向所述源极区一侧的漂移区中。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽的背向所述LOCOS的一端延伸至所述源极区上。

8.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底中形成有沟槽填充结构围成的有源区；

形成LOCOS于所述有源区的衬底中，所述LOCOS的顶面高于所述衬底的顶面；

形成至少一个沟槽于所述LOCOS一侧的衬底中，所述沟槽的底壁高于所述沟槽填充结构的底面，所有的所述沟槽在垂直于所述LOCOS的所述一侧的边缘方向上的长度大于在平行于所述LOCOS的所述一侧的边缘方向上的长度；

形成栅介质层于所述沟槽的内壁以及所述沟槽外围的衬底上；以及，

形成栅极层于所述栅介质层上以及靠近所述沟槽的部分所述LOCOS上，所述沟槽的背向所述LOCOS的一端超出所述栅极层的背向所述LOCOS的一端。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述沟槽的靠近所述LOCOS的一侧暴露出所述LOCOS。