[发明专利]一种基于GaN功率放大器的功率放大电路

权利要求书

1.一种基于GaN功率放大器的功率放大电路，其特征在于，包括，低压差线性稳压电路、电流监测电路、GaN功率放大电路和温度监测电路；

其中，所述低压差线性稳压电路的第一电压输入端接收电压信号，第一电压输出端输出降压电压信号；

所述电流监测电路接收所述降压电压信号和第二输入电压，并通过第二输出端将所述降压电压信号输出至所述GaN功率放大电路的漏极，监测所述GaN功率放大电路的漏极电流变化，当所述GaN功率放大电路的漏极电流大于预定值时，所述电流监测电路的第三输出端的输出电平从高电平转换为低电平；

所述温度监测电路的第三输入端接收第三输入电压；

所述GaN功率放大电路的漏极接收所述降压电压信号，第三输入端接收射频信号，所述射频信号经过放大后由第四输出端输出；

所述低压差线性稳压电路由第一芯片和第二芯片组成，所述第一芯片和第二芯片的型号为：LT3086MPT7，

其中，

所述第一芯片的第一管脚和第四管脚接地，第二管脚顺次连接第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器后与第三管脚相连接；第五管脚与第六管脚相连并与所述第一电压输入端相连接，第七管脚空置；

所述第二芯片的第八管脚和第十一管脚接地，第九管脚与所述第一芯片的第二管脚相连，第十管脚与所述第三管脚相连接并作为第一电压输出端输出所述降压电压信号，第十二管脚和第十三管脚相连并与所述第一电压输入端相连接，第十四管脚空置；

所述电流监测电路由第三芯片和第四芯片组成，

所述第三芯片的型号为：MAX4172ESA+；

所述第四芯片的型号为：MC33161DG；

其中，

所述第三芯片的第十五管脚、第十六管脚和第二十二管脚短接后和所述第一电压输出端相连接，第十七管脚、第十八管脚和第二十一管脚空置，第十九管脚接地，第二十管脚和所述第四芯片的第二十四管脚相连；所述第十六管脚作为第二输出端于所述GaN功率放大电路的漏极相连接；

所述第四芯片的第二十三管脚、第二十五管脚和第二十七管脚空置，第二十四管脚顺次连接所述第二十管脚和第四电阻器后与第二十六管脚相连接，所述第二十六管脚接地；第二十九管脚和第三十管脚相连并接收所述第二输入电压；第二十八管脚通过第五电阻器与第三十管脚相连并作为第三输出端与电流监测输出端口相连；

所述温度监测电路由第五芯片组成，所述第五芯片的型号为：DS18B20U+；

所述第五芯片的第三十一管脚为温度输出端口，第三十二管脚、第三十三管脚、第三十五管脚、第三十六管脚和第三十七管脚空置；第三十四管脚接地；第三十八管脚作为第三输入端并接收所述第三输入电压；

所述第一电压输入端接收的电压信号的值为28.5-29.5V，所述第一电阻器、第二电阻器和第三电阻器的阻值依次为91、91和100千欧姆；

所述第二输入电压的值为5V；

所述第四电阻器的阻值能调节，所述第五电阻器的阻值为2千欧姆；

所述第三输入电压的值为3.3V；

所述温度监测电路用于监测功率放大电路工作环境的温度。