[发明专利]阵列式陶瓷预制体烧结单元单体与高通量无压烧结方法有效
| 申请号： | 202011445869.9 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112456980B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 李烨飞;李书文;郑巧玲;李海生;牛瑞霞;赵四勇 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学;广西长城机械股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/10 | 分类号： | C04B35/10;C04B35/48;C04B35/628;C04B35/64 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 高博 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 陶瓷 预制 烧结 单元 单体 通量 方法 | ||
1.阵列式陶瓷预制体烧结单元单体的高通量无压烧结方法，其特征在于，将ZTA陶瓷颗粒进行表面改性，镀覆Ni3Ti金属间化合物和α-Ti单质；然后将镀覆后的ZTA陶瓷颗粒与Ni3Ti粉、Ti粉混合均匀，填入石墨模具内压实得到陶瓷预制体烧结单元单体；将陶瓷预制体烧结单元单体放入阵列式氧化铝托盘上，然后放入高通量无压烧结制备装置内，以恒定升温速率加热至烧结温度、保温、再随炉冷却，获得高通量陶瓷预制体。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，ZTA陶瓷颗粒含20wt.%~80wt.%的Al2O3，余量为ZrO2。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，ZTA陶瓷颗粒的尺度为300μm~3mm。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，镀覆Ni3Ti金属间化合物和α-Ti单质所采用的方法为物理气相沉积，每次使用三个Ni3Ti合金靶和一个α-Ti单质靶同时进行镀覆。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，Ni3Ti粉占ZTA陶瓷颗粒质量分数的10%~14%；Ti粉占ZTA陶瓷颗粒质量分数的2%~4%。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以10~20℃/min的升温速率加热至1250~1600℃，保温0.5~2h，随炉冷却获得高通量陶瓷预制体。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，采用石墨纸包裹经镀覆的ZTA陶瓷颗粒与Ni3Ti粉、Ti粉后填入石墨模具内压实得到陶瓷预制体烧结单元单体。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，阵列式氧化铝托盘包括三层，每层预置有多个阵列式孔洞用于放置烧结陶瓷预制体烧结单元单体。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，阵列式孔洞包括36~49个。
10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，三层阵列式氧化铝托盘之间通过氧化铝陶瓷柱隔开。
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