[发明专利]一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜及制备方法

权利要求书

1.一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜，为设置在基层表面并与空气接触的膜层结构，其特征在于：所述膜层结构由依次叠层连接的ZnSe层、Ge层、ZnSe层、Ge层、ZnSe层、YbF3层、ZnS层构成。

2.一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜制备方法，用于制备权利要求1中所述的ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜，其特征在于包括如下步骤：

步骤S1，使用物理气相沉积镀膜设备的APS离子源，对基底表面轰击，轰击时间6min；

步骤S2，使用物理气相沉积镀膜设备，采用APS离子源辅助沉积方式，在基底层表面依次镀制厚度50nm的ZnSe层、厚度122.05nm的Ge层、厚度679.67nm的ZnSe层、厚度154.76nm的Ge层、厚度230.54nm的ZnSe层、厚度840.00nm的YbF3层、厚度255nm的ZnS层；

步骤S3，使用等离子体化学气相沉积镀膜设备，利用RF射频源对膜层进行等离子体轰击，轰击时间20min。

3.根据权利要求2所述的一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜制备方法，其特征在于：步骤S1中，APS离子源轰击的控制参数为：充入气体为氩气，气体流量8-10sccm，偏置电压120-130V，放电电压60-90V，放电电流保持在20-40A，线圈电流1-4A。

4.根据权利要求2所述的一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜制备方法，其特征在于：步骤S2中，镀制温度控制在130-150℃。

5.根据权利要求2所述的一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜制备方法，其特征在于：步骤S2中，APS离子源辅助沉积方式中的控制参数为：充入气体为氩气，气体流量8-10sccm，偏置电压120-130V，放电电压60-90V，放电电流保持在20-40A，线圈电流1-4A。

6.根据权利要求2所述的一种ZnSe基底7.7-9.5μm波段高耐用性减反膜制备方法，其特征在于，步骤S3中，等离子体化学气相沉积镀膜设备RF射频源轰击的控制参数为：充入气体为氩气，气体流量100-200sccm，功率400-800W。