[发明专利]一种具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构的制备方法

说明书

本发明公开了一种具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构的制备方法，属于集成电路封装领域。所述制备方法包括：a)在芯片的芯片焊盘上制备导电凸点，芯片背面与载体粘合，制得芯片封装单元；b)在所得芯片封装单元的边缘粘贴金属部件，所述金属部件与所述载体构成防护底座；c)向所得防护底座内进行塑封后，将塑封后的表面进行研磨，研磨至露出导电凸点后，在露出的导电凸点上进行再布线操作和植球操作，制得具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构。本发明所述制备方法通过简单高效的工艺方法，无需依赖额外的喷镀或溅射设备，能够有效控制具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构的制备成本投入。

技术领域

本发明属于集成电路封装领域，涉及一种具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构的制备方法。

背景技术

WLP(晶圆级封装)具备体型小的优点，但是随着芯片功能需求增加，引脚输出会更多，FOWLP(Fan Out晶圆级)能一定程度上确保芯片更多的引脚输出。另外，随着5G的发展，对于芯片封装电磁干扰的屏蔽防护需求越来越高。

当前FOWLP常见的有Infineon eWLP封装和TSMC FOWLP封装结构.Infineon eWLP采用Chip Face Down(芯片正面朝下)方式通过胶膜贴到载体上.然后进行塑封，塑封完成后将胶膜及载体去除漏出Chip正面，后续通过RDL再布线工艺完成FOWLP封装结构如果要实现电磁干扰屏蔽，需要采用金属溅射或涂敷电磁干扰防护层在封装体的表面，工艺程序步骤多。

TSMC FOWLP封装结构其实现方法为在Chip上通过电镀方法得到凸点，然后将芯片正面朝上贴到载体上，并进行塑封，塑封完成后通过打磨漏出凸点，后续进行RDL工艺完成焊盘布局并植球得FOWLP封装结构，如果要实现电磁干扰屏蔽的功能，需要采用金属溅射或涂敷电磁干扰防护层在封装体的表面，具体工艺操作复杂。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构的制备方法。本发明所述制备方法通过简单高效的工艺方法，制得具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构。

为了达到上述目的，本发明采用以下技术方案予以实现：

本发明公开了一种具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构的制备方法，包括以下步骤：

a)在芯片的芯片焊盘上制备导电凸点，芯片背面与载体粘合，制得芯片封装单元；

b)在所得芯片封装单元的边缘粘贴金属部件，所述金属部件与所述载体构成防护底座；

c)向所得防护底座内进行塑封后，将塑封后的表面进行研磨，研磨至露出导电凸点后，在露出的导电凸点上进行再布线操作和植球操作，制得具有电磁干扰防护的FOWLP封装结构。

优选地，步骤c)中，所述再布线操作和植球操作，具体包括以下操作：

先在所述经研磨露出导电凸点的塑封表面上制备金属线路的电镀层，将所得电镀层进行刻蚀得到金属线路焊盘，所述金属线路焊盘与导电凸点对应，然后继续沉积表面保护层最后在所述金属线路焊盘上植入封装体焊球。

进一步优选地，封装体焊为锡球或锡银合金球。

优选地，步骤a)中，所述导电凸点通过电镀金属法或引线键合方法制备。

优选地，芯片背面通过粘胶膜与载体粘合。

进一步优选地，芯片背面采用Face Up方式与载体粘合。

优选地，载体为金属载具。

优选地，金属部件的材质为铜。

优选地，导电凸点为金属凸点。

进一步优选地，金属凸点的材料为铜或银合金。