[发明专利]一种窄带蓝光荧光粉及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种窄带蓝光荧光粉，其特征在于，所述荧光粉的化学通式为K₂Ba_xSr_2-x(PO₄)₂:yEu²⁺，其中，0.5≤x≤1.75，0.01≤y≤0.06；所述窄带是指半高宽低于45nm。

2.根据权利要求1所述的窄带蓝光荧光粉，其特征在于，所述x的取值范围为0.5≤x≤1.25。

3.根据权利要求2所述的窄带蓝光荧光粉，其特征在于，所述x的取值范围为0.75≤x≤1，所述y的取值范围为0.016≤y≤0.06。

4.基于权利要求1所述的窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1，以含有钾离子K⁺的化合物、含钡离子Ba²⁺的化合物、含锶离子Sr²⁺的化合物、含磷离子P⁵⁺的化合物、含铕离子Eu³⁺的化合物为原料，按照通式K₂Ba_xSr_2-x(PO₄)₂:yEu²⁺的化学计量比称取原料，其中0.5≤x≤1.75，0.01≤y≤0.06，研磨并混合均匀；

步骤2，将步骤1得到的原料混合物转移至坩埚内，在空气气氛下进行煅烧，煅烧温度为300~700℃，煅烧时间为1~10小时，待降温冷却后再次研磨和混合均匀；

步骤3，在通有还原性气氛的高温炉中煅烧，煅烧温度 1000-1300℃，并保温 2-10 小时，备用，所述还原性气氛为氮气和氢气混合气、氩气和氢气混合气、氩气和氨气混合气、或一氧化碳气氛；

步骤 4，将步骤 3 得到的材料经破碎、酸洗、水洗、过滤、烘干后，即得窄带蓝光荧光粉，其中，酸洗用 0.01M-0.5M 的盐酸或硝酸，水洗用去离子水或蒸馏水洗至电中性。

5. 根据权利要求 4 所述的窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，步骤2 中煅烧温度为 300-450℃，煅烧时间为 3-6 小时，步骤 3 中煅烧温度为1100-1300℃，保温时间为 4-8 小时。

6. 根据权利要求 4 所述的窄带蓝光荧光粉的制备方法，其特征在于，含有钾离子 K⁺的化合物为氢氧化钾、碳酸钾、碳酸氢钾、磷酸二氢钾、或硝酸钾中的一种，含钡离子 Ba²⁺的化合物为氢氧化钡、碳酸钡、磷酸钡、磷酸氢钡或硝酸钡中的一种，含锶离子 Sr²⁺的化合物为氢氧化锶、碳酸锶、磷酸锶、磷酸氢锶或硝酸锶中的一种，含磷离子 P⁵⁺的化合物为磷酸氢钡、磷酸氢锶、磷酸氢二铵或磷酸二氢铵中的一种，含铕离子 Eu³⁺的化合物为氧化铕或硝酸铕。

7. 基于权利要求 1 所述的窄带蓝光荧光粉或权利要求 4 所述的制备方法制备得到的窄带蓝光荧光粉在白光 LED 发光装置上的应用。

8. 一种白光 LED 发光装置，其特征在于，包括封装基板、近紫外光 LED 芯片，以及能够被此 LED 芯片所发出的近紫外光激发的蓝光荧光粉、绿光荧光粉和红光荧光粉，所述蓝光荧光粉为权利要求 1 所述的窄带蓝光荧光粉或权利要求 4所述的制备方法制备得到的窄带蓝光荧光粉。

9. 根据权利要求8所述的白光LED发光装置，其特征在于，所述近紫外光 LED芯片为InGaN 半导体芯片，发射光的峰值波长为350~385 nm；所述绿光荧光粉为硅酸盐荧光粉(Sr,Ba)₂SiO₄:Eu²⁺，发射光的峰值波长为505~530 nm；所述红光荧光粉为 (Sr,Ca)AlSiN₃:Eu²⁺氮化物荧光粉，发射光的峰值波长为610-665 nm，或为K₂SiF₆:Mn⁴⁺荧光粉。