[发明专利]一种改性PTFE高热导率低介电常数复合介质材料及其制备方法在审
申请号: | 202011449574.9 | 申请日: | 2020-12-09 |
公开(公告)号: | CN112551945A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 沈杰;唐阳衡;周静;韩坤昆;李强志;祁琰媛;陈文;赵利军 | 申请(专利权)人: | 武汉理工大学 |
主分类号: | C04B26/08 | 分类号: | C04B26/08;H05K1/05 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 彭月 |
地址: | 430070 湖*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 改性 ptfe 高热 导率低 介电常数 复合 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种改性PTFE的复合介质材料,其特征在于所述复合介质材料包括氮化硼(BN)陶瓷粉、SiO2陶瓷粉和基于复合介质材料50wt%-70wt%的PTFE。
2.根据权利要求1所述的改性PTFE的复合介质材料,其特征在于,BN陶瓷粉在复合介质材料中的含量为5wt%-20wt%。
3.根据权利要求2所述的改性PTFE的复合介质材料,其特征在于,还包括选自十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)、十二烷基硫酸钠(SDS)或十二烷基二甲基甜菜碱(BS-12)中的一种或多种的表面改性剂,其含量为PTFE的1wt%-10wt%。
4.根据权利要求1所述的改性PTFE的复合介质材料,其中所述BN陶瓷粉为六方氮化硼,粒径为微米级,优选平均粒径为5微米至40微米。
5.根据权利要求1所述的改性PTFE的复合介质材料,其中所述SiO2陶瓷粉为微米级,优选平均粒径为5微米至15微米,优选含量为20wt%-35wt%。
6.一种改性PTFE复合介质板,其特征在于,是由权利要求1-5所述的任一复合介质材料制成。
7.一种权利要求6所述改性PTFE复合介质板的制备方法,其特征在于,包括如下制备步骤:
(1)乳液配制:将BN陶瓷粉与50wt%-70wt%的聚四氟乙烯乳液进行双中心混合,双中心搅拌速度为1500-2500r/min,搅拌时间为30s-90s,再加入SiO2陶瓷粉进行双中心混合,双中心搅拌速度为1500-2500r/min,搅拌时间为30s-90s,得到悬浮液,两次搅拌速度均优选为2000r/min,两次搅拌时间均优选为60s;
(2)泥团制备:升高或者降低双中心搅拌速度转速破乳,制得泥团;
(3)预压片制备:混炼泥团,挤压、压延泥团成为预压片的坯体,室温阴干,升温烘干后冷却;
(4)热压预压片制得复合介质板。
8.根据权利要求7所述改性PTFE复合介质板的制备方法,其特征在于,步骤(2)中还包括加入醇类破乳剂,优选乙醇,乙醇加入量为PTFE乳液质量的30-50%,优选为40%,步骤(3)中升温烘干采用梯度升温烘干的方式,优选80℃烘干10-12h,120℃烘干10-12h,260℃烘干20-24h,步骤(4)中热压压力为4-15MPa,热压时间为6-8h。
9.一种覆铜板,所述覆铜板包括权利要求6所述的PTFE复合介质板及热压在PTFE复合介质板一侧或两侧的金属铜。
10.一种5G高频电路板,其特征在于包含权利要求6所述的改性PTFE复合介质板。
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